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多電平快閃存儲(chǔ)器技術(shù)及其未來(lái)發(fā)展
王殿超1 潘亮2
（1 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院 廣州 510640
2 北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司北京 100015）
摘要： 多電平單元（MLC）快閃存儲(chǔ)器是一種新興的閃存技術(shù)，單元面積小，制造成
本低，雖然MLC 的多項(xiàng)指標(biāo)都落后于單電平單元（SLC）快閃存儲(chǔ)器，但是MLC 在架構(gòu)上取勝于SLC，很多廠商目前都對(duì)MLC 做了很多的優(yōu)化和開(kāi)發(fā)，對(duì)于MLC 傳輸速度和讀寫(xiě)次數(shù)的問(wèn)題已經(jīng)有了相當(dāng)多的解決方法，其多項(xiàng)性能逐步可以和SLC 芯片相比擬，而且會(huì)節(jié)省相當(dāng)多的成本。本文對(duì)多電平快閃存儲(chǔ)器的單元結(jié)構(gòu)、基本操作、可靠性問(wèn)題及未來(lái)的發(fā)展作了詳細(xì)介紹。
關(guān)鍵詞：快閃存儲(chǔ)器 單電平單元 多電平單元 可靠性
王殿超1 潘亮2
（1 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院 廣州 510640
2 北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司北京 100015）
摘要： 多電平單元（MLC）快閃存儲(chǔ)器是一種新興的閃存技術(shù)，單元面積小，制造成
本低，雖然MLC 的多項(xiàng)指標(biāo)都落后于單電平單元（SLC）快閃存儲(chǔ)器，但是MLC 在架構(gòu)上取勝于SLC，很多廠商目前都對(duì)MLC 做了很多的優(yōu)化和開(kāi)發(fā)，對(duì)于MLC 傳輸速度和讀寫(xiě)次數(shù)的問(wèn)題已經(jīng)有了相當(dāng)多的解決方法，其多項(xiàng)性能逐步可以和SLC 芯片相比擬，而且會(huì)節(jié)省相當(dāng)多的成本。本文對(duì)多電平快閃存儲(chǔ)器的單元結(jié)構(gòu)、基本操作、可靠性問(wèn)題及未來(lái)的發(fā)展作了詳細(xì)介紹。
關(guān)鍵詞：快閃存儲(chǔ)器 單電平單元 多電平單元 可靠性
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