資料介紹
為了限制油耗,一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時,這些創新的新系統關閉發動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時,就自動重新啟動發動機。這就幫助降低市區駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
但這樣的系統為汽車電子帶來了一些獨特的工程挑戰,因為當發動機重新啟動時,電池電壓可能降到6.0 V甚至更低。此外,典型電子模塊包含反極性二極管,用以在汽車跳接啟動(jump started)而跳接線纜反向的事件中保護電子電路。二極管導致電池電壓又下降0.7 V,使下游電路的電壓僅為5.3 V或更低。由于許多模塊仍要求5 V供電,此時電源就沒有足夠的余量來恰當工作。
一種解決途徑是采用升壓電源。升壓電源接受較低的輸入電壓,并在輸出端產生較高的電壓。目前供應商正在電子模塊的前端使用某種類型的升壓電源,使其能夠在由啟動/停止系統導致的壓降條件下恰當工作。下文將審視設計人員可用于這些啟動/停止系統的不同方案,包括低壓降(LDO)穩壓器、電池反向保護方案,以及各種升壓選擇。
就像大多數工程問題一樣,解決問題的方法也是多種多樣。如果電池電壓在輸入端僅降至6 V,那么,首選及最簡單的方案就是探尋僅要求《0.3 V余量的極低壓降線性穩壓器。這種方案適用于電流要求較低的模塊,但對于需要更大電流的模塊而言,設計人員就需要更多的選擇了。
另一種方案是以肖特基二極管或P溝道MOSFET替代用于在前端進行電池反向保護的標準P-N結二極管。蕭特基二極管的正向壓降約為標準整流器的一半,因此,它增添了零點幾伏的電壓余量。改用肖特基二極管足夠簡單直接,因為它通常恰好適用于跟標準二極管一樣的PCB焊盤,無須變更布線。但P溝道MOSFET(簡稱P-FET)要求變更PCB,還要求一些額外電路。
圖1:采用P溝道MOSFET提供電池反向保護
圖1顯示了要求使用的3個元件,包括P-FET、齊納二極管及電阻。需要選擇恰當大小的P-FET,使其可以處理施加在模塊輸入端的電壓,以及所要求的負載電流。此外,顧及系統散熱要求很重要,因為FET的功率耗散等于電流的平方乘以FET的導通電阻。齊納二極管保護MOSFET的柵極氧化物免受由過壓條件導致的操作。大多數P-FET的柵極至源極連接能夠處理15至20 V電壓,故齊納二極管必須設定為在此點之前鉗位。電阻將柵極下拉至地電平以導通P-FET,但也必須恰當選擇電阻的大小。電阻的阻抗不能太低,因為阻抗太低的情況下會讓過大電流渡過齊納二極管,因而滋生齊納二極管的功率耗散問題。然而,如果電阻的阻抗太大,在此情況下P-FET的導通可能不會如所傾向般牢靠,而這方案的構思是希望降低由漏極至源極兩端的電壓。
很可能的情況是,上述某種方案,或是某些方案的組合,將適合給定應用。但如果輸入電壓實際降到5 V以下,會發生什么情況?某些制造商在審視冷車啟動(cold cranking)條件下輸入電壓會否降至4.5 V。三種最常見的開關穩壓器就是升壓電壓電源、降壓/升壓電源以及單端初級電感轉換器(SEPIC)電源。
但這樣的系統為汽車電子帶來了一些獨特的工程挑戰,因為當發動機重新啟動時,電池電壓可能降到6.0 V甚至更低。此外,典型電子模塊包含反極性二極管,用以在汽車跳接啟動(jump started)而跳接線纜反向的事件中保護電子電路。二極管導致電池電壓又下降0.7 V,使下游電路的電壓僅為5.3 V或更低。由于許多模塊仍要求5 V供電,此時電源就沒有足夠的余量來恰當工作。
一種解決途徑是采用升壓電源。升壓電源接受較低的輸入電壓,并在輸出端產生較高的電壓。目前供應商正在電子模塊的前端使用某種類型的升壓電源,使其能夠在由啟動/停止系統導致的壓降條件下恰當工作。下文將審視設計人員可用于這些啟動/停止系統的不同方案,包括低壓降(LDO)穩壓器、電池反向保護方案,以及各種升壓選擇。
就像大多數工程問題一樣,解決問題的方法也是多種多樣。如果電池電壓在輸入端僅降至6 V,那么,首選及最簡單的方案就是探尋僅要求《0.3 V余量的極低壓降線性穩壓器。這種方案適用于電流要求較低的模塊,但對于需要更大電流的模塊而言,設計人員就需要更多的選擇了。
另一種方案是以肖特基二極管或P溝道MOSFET替代用于在前端進行電池反向保護的標準P-N結二極管。蕭特基二極管的正向壓降約為標準整流器的一半,因此,它增添了零點幾伏的電壓余量。改用肖特基二極管足夠簡單直接,因為它通常恰好適用于跟標準二極管一樣的PCB焊盤,無須變更布線。但P溝道MOSFET(簡稱P-FET)要求變更PCB,還要求一些額外電路。
圖1:采用P溝道MOSFET提供電池反向保護
圖1顯示了要求使用的3個元件,包括P-FET、齊納二極管及電阻。需要選擇恰當大小的P-FET,使其可以處理施加在模塊輸入端的電壓,以及所要求的負載電流。此外,顧及系統散熱要求很重要,因為FET的功率耗散等于電流的平方乘以FET的導通電阻。齊納二極管保護MOSFET的柵極氧化物免受由過壓條件導致的操作。大多數P-FET的柵極至源極連接能夠處理15至20 V電壓,故齊納二極管必須設定為在此點之前鉗位。電阻將柵極下拉至地電平以導通P-FET,但也必須恰當選擇電阻的大小。電阻的阻抗不能太低,因為阻抗太低的情況下會讓過大電流渡過齊納二極管,因而滋生齊納二極管的功率耗散問題。然而,如果電阻的阻抗太大,在此情況下P-FET的導通可能不會如所傾向般牢靠,而這方案的構思是希望降低由漏極至源極兩端的電壓。
很可能的情況是,上述某種方案,或是某些方案的組合,將適合給定應用。但如果輸入電壓實際降到5 V以下,會發生什么情況?某些制造商在審視冷車啟動(cold cranking)條件下輸入電壓會否降至4.5 V。三種最常見的開關穩壓器就是升壓電壓電源、降壓/升壓電源以及單端初級電感轉換器(SEPIC)電源。
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