資料介紹
針對典型的GaAs高電子遷移率晶體管(HEMT),研究了不同頻率高功率微波從柵極注入HEMT后的影響。利用半導體仿真軟件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二維電熱模型,考慮了高電場下的載流子遷移率退化和載流子雪崩產生效應,通過分析器件內部電場強度,電流密度,溫度分布隨信號作用時間的變化來探索其損傷過程及機理,獲得了其在不同頻率高功率微波作用下的燒毀時間,燒毀位置處的電場強度,電流密度以及溫度的變化。研究結果表明,隨著注入HPM頻率的增大,燒毀時間不斷減小,燒毀部位在柵極下方靠源側,電場強度在柵極靠源側以及漏側出現峰值,并隨頻率增大而增大,電流密度隨著頻率的增大,先增大后減小,在6 CHz達到最大值,器件的燒毀點在柵極靠源側,隨著頻率的增加,發熱區逐漸縮小,在6 CHz燒毀點溫度達到1670 K。
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