Peregrine半導(dǎo)體UltraCMOS成就毫不妥協(xié)的RF性能
資料介紹
借著在北京參加EDI CON 2015的機(jī)會(huì),Peregrine半導(dǎo)體舉辦了媒體見(jiàn)面會(huì),Peregrine半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Kinana Hussain向記者介紹了Peregrine的核心優(yōu)勢(shì)和最新產(chǎn)品。
2014年12月12日,Murata(村田)完成對(duì)Peregrine的收購(gòu)。Hussain先生說(shuō)明了Murata收購(gòu)Peregrine的關(guān)鍵原 因:“大約在6年前,Peregrine一直是Murata的供應(yīng)商,在手機(jī)最早使用RF開(kāi)關(guān)時(shí),Murata就是Peregrine的主要客戶。而 Peregrine的產(chǎn)品除了用在手機(jī)領(lǐng)域,還能用在移動(dòng)通信、工業(yè)等更多應(yīng)用,這與Murata十分互補(bǔ),能幫助Murata拓展市場(chǎng)領(lǐng)域。此 外,Peregrine所具有的RF硅片的專業(yè)知識(shí)(從襯底到RF電路)以及半導(dǎo)體供應(yīng)鏈也是Murata看重的。”
探究非凡CMOS技術(shù)
Peregrine到底有什么核心技術(shù)呢?答案是:襯底與工藝、建模與仿真以及RF電路設(shè)計(jì)。
UltraCMOS技術(shù)采用高絕緣的襯底(藍(lán)寶石或SOI),襯底上的所有寄生電容降至最低,并且采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝,可集成RF、數(shù)字與模擬電路。從圖1可以看出兩種高絕緣襯底的工藝區(qū)別。

圖1 UltraCMOS技術(shù)工藝圖
在2014年推出Global 1整合系統(tǒng)后,今年P(guān)eregrine將為UltraCMOS Global 1提速:加快行業(yè)向全CMOS RF前端的轉(zhuǎn)換,集成了Murata行業(yè)領(lǐng)先的濾波器與封裝,挑戰(zhàn)GaAs技術(shù)的功率放大器性能并在今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 特別是在被Murata收購(gòu)以后,Peregrine得到了很多加強(qiáng)的東西,例如RF前端的濾波器,這正是Murata的優(yōu)勢(shì),再如封裝技術(shù),這兩者正是 Peregrine所需要的。
Global 1 PE56500 UltraCMOS RFFE是全CMOS的3G/4G RFFE,支持700 ~ 2700 MHz以及輸入、頻段與天線的切換,并具有根據(jù)頻段而重配置與調(diào)諧功能。其采用微型10.5 mm×5.0 mm×0.8 mm 封裝。
MPAC
Doherty放大器發(fā)明于1936年,是用于無(wú)線基站發(fā)射機(jī)的“放大器之選”。Doherty架構(gòu)中有兩條放大器路徑,效率較傳統(tǒng)架構(gòu)有了明顯的提升。 放大有高PAR的信號(hào)時(shí)(大多數(shù)現(xiàn)代無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)都是高PAR),Doherty放大器尤為高效。但是也存在一些問(wèn)題:Doherty放大器架構(gòu)中,載波路徑 與峰值路徑之間存在著相位與振幅的失配問(wèn)題,從而產(chǎn)生了較高的成本,降低了系統(tǒng)性能。非對(duì)稱Doherty架構(gòu)可以緩解這些問(wèn)題,它增加了峰值放大器的尺 寸,以獲得更高的功率附加效率。非對(duì)稱Doherty放大器的采用率超過(guò)75%。
針對(duì)以上問(wèn)題,Peregrine推出了解決方案——單片相位與振幅控制器(MPAC)。MPAC系列產(chǎn)品提供了一種集成RF解決方案,內(nèi)有一些市場(chǎng)領(lǐng)先 的UltraCMOS IP塊。MPAC的優(yōu)點(diǎn)主要有:(1)降低成本,提高了Doherty PA合格率,可以獲得更嚴(yán)格的制?邊際,從而采用較小(更便宜)的功率晶體管,能可靠地采用更廉價(jià)的非對(duì)稱Doherty架構(gòu)。(2)提高系統(tǒng)性能,提高 了總體功率附加效率,改進(jìn)了頻率區(qū)間上的線性度,提供更好的匹配,從而增加了Doherty帶寬,支持更大帶寬的DPD回路性能。(3)提高了可靠性,提 高了TX成功率,不同TX路徑之間的一致性與可重復(fù)性。(4)提供了未來(lái)的靈活性,能夠根據(jù)不同的環(huán)境條件,實(shí)時(shí)地(或在現(xiàn)場(chǎng))優(yōu)化Doherty PA。
最新MPAC產(chǎn)品PE46120(內(nèi)部架構(gòu)如圖2所示),其頻率為1.8 GHz~2.2 GHz ,集成了:90°分離器、5 bit數(shù)字移相器(87.2°范圍)、4 bit數(shù)字步進(jìn)衰減器(7.5 dB范圍)和串行數(shù)字接口,IIP3的高線性度等于 +60 dBm,支持+3 V & +5 V電源。

圖2 MPAC產(chǎn)品PE46120內(nèi)部架構(gòu)
此外,Peregrine還推出了業(yè)內(nèi)首款真DC開(kāi)關(guān)PE42020,具有從直流至8 GHz的大功率容量。
高頻的首選:UltraCMOS
UltraCMOS成為高頻理想選擇的原因,首先是襯底,藍(lán)寶石(SOS) 的損耗因數(shù)比硅好10倍,比GaAs好3倍;高阻襯底使襯底電容與寄生電容均最低。
其次是RON×COFF(導(dǎo)通電阻和斷開(kāi)電容的乘積,其值越小越好)產(chǎn)品直接有利于RF性能參數(shù),其不斷改進(jìn),相當(dāng)于每代UltraCMOS都有更高的性能。高頻IP也是一個(gè)重要因素:先進(jìn)的高頻MMIC架構(gòu),在高頻建模、電路、布局以及封裝方面的專業(yè)知識(shí)。
PE42524 SPDT射頻開(kāi)關(guān)突破RF SOI中的高頻屏障,具有10 MHz~40 GHz的寬帶支持;高達(dá)40 GHz的杰出的端口-端口隔離性能;40 GHz處的最高線性開(kāi)關(guān);倒裝片芯,消除了由于打線而產(chǎn)生的高頻性能差異。
現(xiàn)在整個(gè)通信產(chǎn)業(yè)都熱衷于5G, Hussain表示:“5G的關(guān)鍵IP在4G到5G的升級(jí)中很關(guān)鍵,雖然目前5G處在規(guī)則制定階段,但頻段會(huì)越來(lái)越多,會(huì)需要更多線性調(diào)相,這正好是 Peregrine戰(zhàn)略性布局的方面。相信UltraCMOS在未來(lái)會(huì)有更多貢獻(xiàn)。”
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