根據IEEE 521-2002標準，X波段是指頻率在8-12 GHz的無線電波波段，在電磁波譜中屬于微波。而在某些場合中，X波段的頻率范圍則為7-11.2 GHz。通俗而言，X波段中的X即英語中的“extended”，表示“擴展的”調幅廣播。本文介紹基于X波段的天線、頻率合成器、振蕩器等的設計實現方案，供大家參考。
　　X波段頻率合成器設計
　　本文提出LL頻率合成方案是用于頻率合成器設計的一種較好的方案，PLL頻率合成器在相位噪聲特性、雜波抑制及頻率分辨率等方面相對于單一的頻率合成方式都較大的優勢，其更大的優點還在于相對于多環鎖相和混頻鎖相其結構簡單、調試方便、性能穩定。
　　基于SFCR新型介質的X波段壓控振蕩器的研制
　　本文基于負阻振蕩器的基本理論，采取調諧振蕩器負阻電路部分的狀態的方法來達到改變整個負阻振蕩器的輸出頻率的方法成功設計并制作了一個新型介質壓控振蕩器—VCDO。由于基于SFCR介質壓控振蕩器（VCDO）體積小、指標優良，具有較好的實用前景。
　　X波段間接式頻率綜合器的設計
　　本文主要介紹了針對惡劣的環境條件進行的技術攻關，充分發揮DAS和PLL的優點，獲得了具有高穩定、低相噪、低雜散和捷變頻等特性的全相參間接式頻綜器，并且全面達到環境適應性等方面的要求。
　　X波段MCM T/R組件的系統補償設計
　　本文所使用的金絲模型直接采用ADS軟件中電路靜態模型，針對實際電路中金絲可能的拱高以及與前后LTCC微帶線的壓接位置，在三維仿真軟件HFSS中對金絲進行了三維建模仿真，仿真結果表明三維模型與電路靜態模型精度相當，權衡仿真速度和精度，采用靜態模型更有效。
　　X波段寬帶微帶陣列天線設計
　　本文設計的X波段寬帶微帶陣列天線的天線單元即是采用這種縫隙耦合饋電的雙層微帶天線。為了減小背向輻射，采用帶狀線作為天線單元的饋電線和陣列的饋電網絡。由于設計需求，陣列中心缺失單元，屬于不規則陣列，因此采用遺傳算法對陣列的權值分布進行了全局優化，以得到較低的副瓣電平。
　　X波段LNA設計
　　本文的微波低噪聲放大器是利用微波低噪聲場效應管在微波頻段進行放大。實現的放大器噪聲低、增益高、體積小、重量輕， 作為接收機的射頻前端， 已經在無人機機載和地面設備中得到應用。
　　X波段相控陣雷達單片微波集成電路芯片組
　　本文介紹了高性能的X波段相控陣雷達元芯片組，在發送端包括驅動和功放器件，接收端包括低噪聲放大器/限幅器，控制端包括衰減器和移相器。這些器件提供了100%的RF和DC檢測，確保他們的性能，并能使用戶提高產量，降低成本。
　　機載低相位噪聲X波段頻率合成器的研究
　　本文介紹了機載頻率合成器的實用設計。一種混合合成器結構可以使芯片相位噪聲性能提升8dB。最佳的實用合成器結構對來自所有源的雜散進行抑制，使其輸出水平小于-64dBc。
　　X波段基片集成波導帶通濾波器的設計
　　文中利用基片集成波導結構設計并制作出了一種X波段中心頻率是9．58 GHz、相對帶寬是8．35％的9階切比雪夫并聯電感耦合波導帶通濾波器。該濾波器在9．18~9．98 GHz的通帶范圍內表現出了良好的性能。
　　高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯開關
　　本文提出了一種通過CPW傳輸線與共面波導地平面間的襯底刻槽，提高隔離度并應用于X波段的RF MEMS電容式并聯開關。該設計在不改變開關結構和電路結構的基礎上提高了開關的隔離性能，為基于CPW結構的RF MEMS高性能電路設計提供了一種參考。
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