在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。
　　從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容（100 毫微微法拉）會讓您無法滿足電磁干擾（EMI）需求。那100fF電容器是什么樣子的呢？在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會因寄生問題而提供寬泛的容差。
　　不過，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。
　　圖1是這些非計(jì)劃中電容的一個實(shí)例。圖中的右側(cè)是一個垂直安裝的FET，所帶的開關(guān)節(jié)點(diǎn)與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側(cè)進(jìn)入，到達(dá)距漏極連接1cm以內(nèi)的位置。這就是故障點(diǎn)，在這里FET的開關(guān)電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。
　　
　　圖1.開關(guān)節(jié)點(diǎn)與輸入連接臨近，會降低EMI性能
　　注意，漏極連接與輸入引線之間有一些由輸入電容器提供的屏蔽。該電容器的外殼連接至主接地，可為共模電流提供返回主接地的路徑。如圖2所示，這個微小的電容會導(dǎo)致電源EMI簽名超出規(guī)范要求。
　　
　　圖2.寄生漏極電容導(dǎo)致超出規(guī)范要求的EMI性能
　　這是一條令人關(guān)注的曲線，因?yàn)樗从吵隽藥讉€問題：明顯超出了規(guī)范要求的較低頻率輻射、共模問題通常很明顯的1MHz至2MHz組件，以及較高頻率組件的衰減正弦（x）/x分布。
　　需要采取措施讓輻射不超出規(guī)范。我們利用通用電容公式將其降低了：
　　C = ε ? A/d
　　我們無法改變電容率（ε），而且面積（A）也已經(jīng)是最小的了。不過，我們可以改變間距（d）。如圖3所示，我們將組件與輸入的距離延長了3倍。最后，我們采用較大接地層增加了屏蔽。