資料介紹
1 引言
隨著通訊技術(shù)的迅猛發(fā)展,人們對通訊系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通訊和射頻通訊系統(tǒng)中,因此,高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模擬分頻器可由注進(jìn)鎖定等結(jié)構(gòu)實現(xiàn),一般具有工作頻率高、功耗低等優(yōu)點,但是分頻范圍較小,芯片面積較大。數(shù)字分頻器基于觸發(fā)器結(jié)構(gòu),一般分頻范圍較寬,芯片面積較小,但相對于模擬分頻器其工作頻率較低,功耗較大。這里采用UMC 0.13um的CMOS工藝(其特征頻率fT約100 GHz),在電源電壓為1.2V時,實現(xiàn)一個高速、寬分頻范圍的數(shù)字四分頻器。
2 電路設(shè)計
圖1為四分頻器的系統(tǒng)框圖。它由兩個二分頻器級聯(lián)而成。為了實現(xiàn)級間隔離和電平匹配,在兩個二分頻器之間加進(jìn)級間緩沖電路。為便于區(qū)分這兩個分 頻器,將前一個二分頻器稱為高速二分頻器,后一個二分頻器稱為低速二分頻器。由于要測試電路,需考慮輸進(jìn)和輸出端口的阻抗匹配。為解決這些題目,電路中設(shè) 計輸人和輸出部分。輸進(jìn)部分除實現(xiàn)輸進(jìn)阻抗匹配外,還要提供直流偏置。輸出部分用以保證測試時的阻抗匹配以及得到一定的輸出信號幅度。

2.1 二分頻器
這里采用的二分頻器為全差分的共柵動態(tài)負(fù)載結(jié)構(gòu),其框圖和電路圖如圖2a和圖2b所示。

該二分頻器由兩個相同的相互交叉耦合的D觸發(fā)器構(gòu)成,其中CLK和CLKn為一對差分輸進(jìn)信號。由于兩個觸發(fā)器完全相同,下面僅以圖2b中左邊 的觸發(fā)器為例進(jìn)行分析。當(dāng)CLK為低電平時,電路工作在采樣模式,開關(guān)管VMa5導(dǎo)通,輸進(jìn)對管VMn3、VMn4用于采樣輸進(jìn)信號,PMOS負(fù)載管 VMp1、VMp2工作在線性區(qū),其導(dǎo)通電阻很小,相應(yīng)的時間常數(shù)RC就較小,從而使得輸出結(jié)點Q,Qn的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間較短; 當(dāng)CLK為高電平時,電路工作在保持模式,開關(guān)管VMn5截止,PMOS負(fù)載管VMp1、VMp2工作在截止區(qū),相應(yīng)的時間常數(shù)很大,而NMOS的交叉耦 合對管VMn1、VMn2形成正反饋,在保持模式下用于維持觸發(fā)器的輸出狀態(tài),在采樣模式下加快輸出節(jié)點的狀態(tài)轉(zhuǎn)換速度。因此該主從結(jié)構(gòu)的觸發(fā)器形成一個 二分頻器。動態(tài)負(fù)載技術(shù)極大地進(jìn)步了分頻器的工作速度。
本文目的是設(shè)計高速分頻器,因此其工作速度是考慮的首要題目。觸發(fā)器中決定工作速度的主要因素是輸出節(jié)點的總電容。同樣以圖2b中左邊的觸發(fā)器 為例說明,考慮其中一個輸出節(jié)點Qn相應(yīng)的總電容,包括與該輸出節(jié)點相連的所有器件的電容以及它們兩者之間連線上的寄生電容。因此在進(jìn)行電路參數(shù)設(shè)計和版 圖設(shè)計時,應(yīng)減少這些電容。在設(shè)計兩個二分頻器電路參數(shù)時,固然兩者拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)一樣,但由于側(cè)重點不同,所以參數(shù)設(shè)計并不相同。高速二分頻器著重進(jìn)步其工作速度,因此應(yīng)盡可能地減少輸出節(jié)點的電容。
而低速二分頻器的工作速度為高速二分頻器的一半,故速度不是考慮的主要題目。因此在對低速二分頻器電路參數(shù)設(shè)計 時,在滿足二分頻的條件下應(yīng)著重降低其功耗。另外分頻器的輸出電壓擺幅應(yīng)從兩方面考慮:首先輸出電壓擺幅過大,則充、放電過程持續(xù)時間會增加,輸出電壓擺 幅過小,則無法驅(qū)動后續(xù)電路。而決定輸出電壓幅度的主要因素為在保持模式下動態(tài)負(fù)載管的電阻,因此在設(shè)計電路時應(yīng)進(jìn)行折衷考慮,仔細(xì)調(diào)整各管子的參數(shù)。在 版圖設(shè)計時,對于管子寬度比較大的應(yīng)盡量使用叉指結(jié)構(gòu),同時應(yīng)特別留意圖2中的4條交叉耦合線應(yīng)盡可能短,尤其是高速二分頻器中的4條交叉耦合線對分頻器 的工作速度有很大的影響。
隨著通訊技術(shù)的迅猛發(fā)展,人們對通訊系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通訊和射頻通訊系統(tǒng)中,因此,高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模擬分頻器可由注進(jìn)鎖定等結(jié)構(gòu)實現(xiàn),一般具有工作頻率高、功耗低等優(yōu)點,但是分頻范圍較小,芯片面積較大。數(shù)字分頻器基于觸發(fā)器結(jié)構(gòu),一般分頻范圍較寬,芯片面積較小,但相對于模擬分頻器其工作頻率較低,功耗較大。這里采用UMC 0.13um的CMOS工藝(其特征頻率fT約100 GHz),在電源電壓為1.2V時,實現(xiàn)一個高速、寬分頻范圍的數(shù)字四分頻器。
2 電路設(shè)計
圖1為四分頻器的系統(tǒng)框圖。它由兩個二分頻器級聯(lián)而成。為了實現(xiàn)級間隔離和電平匹配,在兩個二分頻器之間加進(jìn)級間緩沖電路。為便于區(qū)分這兩個分 頻器,將前一個二分頻器稱為高速二分頻器,后一個二分頻器稱為低速二分頻器。由于要測試電路,需考慮輸進(jìn)和輸出端口的阻抗匹配。為解決這些題目,電路中設(shè) 計輸人和輸出部分。輸進(jìn)部分除實現(xiàn)輸進(jìn)阻抗匹配外,還要提供直流偏置。輸出部分用以保證測試時的阻抗匹配以及得到一定的輸出信號幅度。

2.1 二分頻器
這里采用的二分頻器為全差分的共柵動態(tài)負(fù)載結(jié)構(gòu),其框圖和電路圖如圖2a和圖2b所示。

該二分頻器由兩個相同的相互交叉耦合的D觸發(fā)器構(gòu)成,其中CLK和CLKn為一對差分輸進(jìn)信號。由于兩個觸發(fā)器完全相同,下面僅以圖2b中左邊 的觸發(fā)器為例進(jìn)行分析。當(dāng)CLK為低電平時,電路工作在采樣模式,開關(guān)管VMa5導(dǎo)通,輸進(jìn)對管VMn3、VMn4用于采樣輸進(jìn)信號,PMOS負(fù)載管 VMp1、VMp2工作在線性區(qū),其導(dǎo)通電阻很小,相應(yīng)的時間常數(shù)RC就較小,從而使得輸出結(jié)點Q,Qn的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間較短; 當(dāng)CLK為高電平時,電路工作在保持模式,開關(guān)管VMn5截止,PMOS負(fù)載管VMp1、VMp2工作在截止區(qū),相應(yīng)的時間常數(shù)很大,而NMOS的交叉耦 合對管VMn1、VMn2形成正反饋,在保持模式下用于維持觸發(fā)器的輸出狀態(tài),在采樣模式下加快輸出節(jié)點的狀態(tài)轉(zhuǎn)換速度。因此該主從結(jié)構(gòu)的觸發(fā)器形成一個 二分頻器。動態(tài)負(fù)載技術(shù)極大地進(jìn)步了分頻器的工作速度。
本文目的是設(shè)計高速分頻器,因此其工作速度是考慮的首要題目。觸發(fā)器中決定工作速度的主要因素是輸出節(jié)點的總電容。同樣以圖2b中左邊的觸發(fā)器 為例說明,考慮其中一個輸出節(jié)點Qn相應(yīng)的總電容,包括與該輸出節(jié)點相連的所有器件的電容以及它們兩者之間連線上的寄生電容。因此在進(jìn)行電路參數(shù)設(shè)計和版 圖設(shè)計時,應(yīng)減少這些電容。在設(shè)計兩個二分頻器電路參數(shù)時,固然兩者拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)一樣,但由于側(cè)重點不同,所以參數(shù)設(shè)計并不相同。高速二分頻器著重進(jìn)步其工作速度,因此應(yīng)盡可能地減少輸出節(jié)點的電容。
而低速二分頻器的工作速度為高速二分頻器的一半,故速度不是考慮的主要題目。因此在對低速二分頻器電路參數(shù)設(shè)計 時,在滿足二分頻的條件下應(yīng)著重降低其功耗。另外分頻器的輸出電壓擺幅應(yīng)從兩方面考慮:首先輸出電壓擺幅過大,則充、放電過程持續(xù)時間會增加,輸出電壓擺 幅過小,則無法驅(qū)動后續(xù)電路。而決定輸出電壓幅度的主要因素為在保持模式下動態(tài)負(fù)載管的電阻,因此在設(shè)計電路時應(yīng)進(jìn)行折衷考慮,仔細(xì)調(diào)整各管子的參數(shù)。在 版圖設(shè)計時,對于管子寬度比較大的應(yīng)盡量使用叉指結(jié)構(gòu),同時應(yīng)特別留意圖2中的4條交叉耦合線應(yīng)盡可能短,尤其是高速二分頻器中的4條交叉耦合線對分頻器 的工作速度有很大的影響。
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