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芯片版圖設(shè)計(jì)完成后，必須將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成 EB 數(shù)據(jù)以制造掩模版。為了
提高芯片的規(guī)模和集成度，降低成本，芯片越來越采用更小尺寸的工藝來制造，
但更小尺寸的制造工藝同時(shí)也必須考慮更多的問題。當(dāng)前的深亞微米半導(dǎo)體制造
工藝對于芯片設(shè)計(jì)層次（GDSII layer）到掩模版層次（mask layer）的轉(zhuǎn)換規(guī)則
（EB Processing Rule）日趨復(fù)雜。目前幾乎所有的芯片代工廠都會將客戶的
layout 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成EB 數(shù)據(jù)。然而GDSII layer 到mask layer 的轉(zhuǎn)換往往工作量巨
大，EB 規(guī)則復(fù)雜時(shí)不易實(shí)現(xiàn)，增加了流片失敗的風(fēng)險(xiǎn)。在應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)
Mentor Graphics 公司的Calibre 工具可以很好的解決這些問題，能夠完全依據(jù)EB
規(guī)則將GDSII layer 形式的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成mask layer 形式的數(shù)據(jù)。本文將簡要介
紹如何使用Calibre 解決GDSII 層次轉(zhuǎn)換問題，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)到EB 數(shù)據(jù)的自動(dòng)轉(zhuǎn)
換。
提高芯片的規(guī)模和集成度，降低成本，芯片越來越采用更小尺寸的工藝來制造，
但更小尺寸的制造工藝同時(shí)也必須考慮更多的問題。當(dāng)前的深亞微米半導(dǎo)體制造
工藝對于芯片設(shè)計(jì)層次（GDSII layer）到掩模版層次（mask layer）的轉(zhuǎn)換規(guī)則
（EB Processing Rule）日趨復(fù)雜。目前幾乎所有的芯片代工廠都會將客戶的
layout 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成EB 數(shù)據(jù)。然而GDSII layer 到mask layer 的轉(zhuǎn)換往往工作量巨
大，EB 規(guī)則復(fù)雜時(shí)不易實(shí)現(xiàn)，增加了流片失敗的風(fēng)險(xiǎn)。在應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)
Mentor Graphics 公司的Calibre 工具可以很好的解決這些問題，能夠完全依據(jù)EB
規(guī)則將GDSII layer 形式的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成mask layer 形式的數(shù)據(jù)。本文將簡要介
紹如何使用Calibre 解決GDSII 層次轉(zhuǎn)換問題，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)到EB 數(shù)據(jù)的自動(dòng)轉(zhuǎn)
換。
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