早在80年代中期，功率MOSFET制造商就開始宣稱一個新的突出特點：雪崩的堅固性。突然間，新的設備家族進化了，所有這些都有了“新”的特性。實現起來相當簡單：垂直MOSFET結構有一個不可消除的整體漏極二極管。因此，通過改變一些工藝和布局參數，有可能保證使用該二極管的箝位能力來承受超過標稱漏源電壓的意外電壓/功率浪涌，當然，對堅固性的含義的混淆，以及如何在數據表中對此進行評級是如此巨大，再加上對它缺乏理論知識。盡管如此，所有的功率MOSFET制造商都開始生產雪崩額定值的器件，提出數據表額定值（盡管不完美），以保護自己和最終用戶，免受這種不完全的知識。今天，有關設備在雪崩條件下的行為的知識得到了提高。許多應用筆記和論文都是用不同的方法來解釋評級和雪崩行為的。本說明的范圍是簡要回顧有關雪崩的MOSFET物理，為設計師提供處理雪崩問題的工具和提示。

　　MOSFET基本原理

　　MOSFET的基本簡化垂直結構如圖1所示。實際的MOSFET是這些“微觀”結構的無限平行體，它們共同工作，共享相同的漏極，所有的柵極通過一個廢棄的多晶硅網連接在一起，所有的源極通過頂部金屬連接在一起。

　　圖1所示為著名的ST專利高壓MOSFET結構，網孔覆蓋層除了對體漏結的形狀進行了一些工藝優化和網孔覆蓋層設計的其他重要改進。這種垂直結構的概念也可被認為對各種較老的蜂窩或其他技術有效。在導通狀態下，當柵極源電壓高于閾值時，傳導電流局限于漏極和柵極（溝道）下的區域。在關斷狀態下，反向偏壓下的PN結維持通過漏極和源極的電壓降，并且極小的電流（泄漏）流過結。如果電壓增加過多，電場達到臨界值，結就會擊穿，電流開始流過身體區域。因此，如果在結上施加過電壓，電流就會流過結，而MOSFET會限制實際的漏源擊穿電壓。擊穿機制本身對p-n結沒有破壞性。然而，由于大的擊穿電流和高的擊穿電壓引起的過熱會損壞PN結，除非提供足夠的散熱。