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設計了一種采用BiCMOS工藝的高精度能隙基準電壓電路，該基準電壓源主要用于線性穩壓器。在CSMC 0.6um工藝條件下，使用CADAENCE SPECTRE仿真工具進行仿真可得溫度在20C～80C變化時，其輸出電壓變化率為0.25mV/C；電源電壓在4V～8V變化時，其輸出電壓變化率為6.25mV/V。
基準電壓源是模擬集成電路極為重要的組成部分。它對模擬電子技術的應用與發展具有重要作用。在許多集成電路電路中，如數模轉換器（DAC）、模數轉換器（ADC）、線性穩壓器和開關穩壓器都需要精密而又穩定的基準電壓。因此基準電壓電路對于溫漂?精度有關的指標要求比較高。為了實現高精度，通常都用硅半導體材料本身固有的特征電壓作為基準電壓，但由于硅半導體材料具有一定的溫度系數，所以為解決溫漂問題，通常選擇一種與基準電壓的溫度系數極性相反但絕對值相近的器件或電路（如 BEVΔ電路），使兩者結合起來，相互溫度補償，使總體溫度系數近似為零。根據這個基本設計思路，基準電壓一般可以分為三種：隱埋齊納二極管基準電壓、能隙基準電壓、XFET基準電壓。
基準電壓源是模擬集成電路極為重要的組成部分。它對模擬電子技術的應用與發展具有重要作用。在許多集成電路電路中，如數模轉換器（DAC）、模數轉換器（ADC）、線性穩壓器和開關穩壓器都需要精密而又穩定的基準電壓。因此基準電壓電路對于溫漂?精度有關的指標要求比較高。為了實現高精度，通常都用硅半導體材料本身固有的特征電壓作為基準電壓，但由于硅半導體材料具有一定的溫度系數，所以為解決溫漂問題，通常選擇一種與基準電壓的溫度系數極性相反但絕對值相近的器件或電路（如 BEVΔ電路），使兩者結合起來，相互溫度補償，使總體溫度系數近似為零。根據這個基本設計思路，基準電壓一般可以分為三種：隱埋齊納二極管基準電壓、能隙基準電壓、XFET基準電壓。
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