光導開關因其具備開關速度快、傳輸功率大、同步精度高、觸發抖動小、器件結構簡單、使用壽命長、近乎完美的光電隔離和不受電磁干擾等優良特性在超寬帶脈沖，超快電子等領域表現出誘人的發展潛力和應用前景。

　　本文首先對光導開關的發展歷史做了簡要回顧，概述了光導開關的發展狀況，介紹了光導開關的兩種主要的工作模式，同時對用于制作光導開關的半導體材料進行了簡要分析。在對光導開關材料分析的基礎上，提出了一種新的異質結碳化硅光導開關器件結構。該結構可以把碳化硅材料的優良特性與光導開關的杰出優點有機結合，可以增大光導開關的有效面積，提高光導開關的耐高壓性能，提高開關的重復頻率。

　　其次，建立了光導開關的等效模型，即把光導開關等效為一個時變電阻和間隙電容并聯的形式，通過求解載流子濃度的分布規律求得了時變電阻的表達式，同時參考經驗公式也得到了間隙電容的數值。

　　針對所建立的等效模型，計算模擬了光導開關在不同條件下載流子濃度的變化規律、激發光的波長、激發光強度、開關電極間隙以及不同偏壓對光導開關特性的影響，最后還對光導開關輸出進行了頻譜特性分析。

　　光導開關（Photoconductive Semiconductor Switches）即光控光導半導體開關 （Optically Controlled Photoc．onductive Semiconductor Switches縮寫為PCSS），簡而言之，就是通過觸發光控制器件電阻大小，從而實現開關的斷開與閉合，而觸發光由超短脈沖激光器提供，通常為皮秒激光器。光導開關（PCSS）因其具備開關速度快、傳輸功率大、同步精度高、觸發抖動小、器件結構簡單、使用壽命長、近乎完美的光電隔離和不受電磁干擾等優良特性，在大功率微波、THz技術等眾多領域，特別是超寬高分辨率沖擊雷達、高精度衛星定位和跟蹤系統、導彈攔截系統、激光核聚變系統、電子對抗系統和反隱形技術等領域均表現出誘人的應用前景。