資料介紹
采用過濾真空陰極直流弧源(Filtered Cathodic Vicuum Arc Deposition, FCVA)方法沉積超硬(>6000HV)超厚(微米級(jí))的DLC/DLC多層薄膜。通過顯微硬度、內(nèi)應(yīng)力測量、XPS等方法表明,該薄膜顯著優(yōu)于普通單層薄膜。
關(guān)鍵詞:DLC;類金剛石薄膜;FCVA;超硬超厚
中圖分類號(hào):TN304.18 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A
類金剛石(Diamond-like carbon, DLC)薄膜具有硬度高、摩擦系數(shù)低、表面光潔度高、電阻率高、熱導(dǎo)率高、高透光率、耐磨損、抗腐蝕、化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)、生物相容性好等許多優(yōu)異的物理化學(xué)特性,與金剛石薄膜不同,DLC在室溫下制備,這就使得它能沉積于多種材料表面從而具有廣泛的應(yīng)用前景。然而目前困擾研究者的主要問題是各種方法制備的DLC薄膜內(nèi)應(yīng)力普遍太高,以至于限制了DLC薄膜的厚度。為此,本研究探討了一種制備超硬超厚類金剛石薄膜的方法,初步獲得了硬度高同時(shí)內(nèi)應(yīng)力低的多層薄膜,并且厚度達(dá)到微米級(jí)。
類金剛石薄膜是在我們研制的過濾式陰極弧源沉積裝置[1]上制備的,如圖1。我們選用45鋼、單晶Si片(100)作為基體材料,分別使用50VDC、80VDC、110VDC、1000V偏壓沉積,見表1。將樣品清洗后置入真空室中,抽基礎(chǔ)真空至1×10-3Pa,并在沉積前通入Ar氣進(jìn)行濺射清洗。通過改變沉積偏壓、沉積時(shí)間得到不同性能的DLC薄膜。
適當(dāng)退火能降低內(nèi)應(yīng)力而不影響薄膜的結(jié)構(gòu)[2,3]。由于決定DLC硬度的sp3鍵和薄膜內(nèi)應(yīng)力沒有必然的聯(lián)系,內(nèi)應(yīng)力產(chǎn)生于高能離子轟炸所引起的畸變能,該內(nèi)應(yīng)力可以通過sp2鍵的重組得到降低甚至消除,且重組所需能量遠(yuǎn)低于sp3向sp2轉(zhuǎn)變的能量需求。據(jù)此,我們可以在適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟认伦宻p2鍵發(fā)生重組排列卻抑制sp3向sp2的轉(zhuǎn)變,從而獲得高硬度低應(yīng)力的薄膜。退火的基礎(chǔ)真空是1×10-4Pa,退火溫度為180℃,時(shí)間是20min。
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