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硅通孔TSV發(fā)生開(kāi)路故障和泄漏故障會(huì)降低三維集成電路的可靠性和良率，因此對(duì)綁定前的TSV測(cè)試尤為重要。現(xiàn)有CAFWAS測(cè)試方法對(duì)泄漏故障的測(cè)試優(yōu)于其他方法（環(huán)形振蕩器等），缺點(diǎn)是該方法不能測(cè)試開(kāi)路故障。偽泄漏路徑思想的提出，解決了現(xiàn)有CAFWAS方法不能對(duì)開(kāi)路故障進(jìn)行測(cè)試的問(wèn)題。另外，重新設(shè)計(jì)了等待時(shí)間產(chǎn)生電路，降低了測(cè)試時(shí)間開(kāi)銷。HSPICE仿真結(jié)果顯示，該方法能準(zhǔn)確預(yù)測(cè)開(kāi)路和泄漏故障的范圍，測(cè)試時(shí)間開(kāi)銷僅為現(xiàn)有同類方法的25%。
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