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集成電路EMC測(cè)試系統(tǒng)-依據(jù)IEC 61967-4的IC電磁發(fā)射測(cè)試系統(tǒng)-傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法--1Ω/150Ω 直接耦合法:集成電路電磁兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，目前出版的有集成電路電磁發(fā)射測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61967
和集成電路電磁抗擾度標(biāo)準(zhǔn)IEC62132 。IEC61967 標(biāo)準(zhǔn)，用于150kHz 到1GHz
的集成電路電磁發(fā)射測(cè)試，包括以下六個(gè)部分：
第一部分：通用條件和定義（參考SAE J1752.1）
第二部分：輻射發(fā)射測(cè)量方法－TEM 小室法（參考SAE J1752.3）
第三部分：輻射發(fā)射測(cè)量方法－表面掃描法（參考SAE J1752.2）
第四部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法－1Ω/150Ω 直接耦合法
第五部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法－法拉第籠法WFC
第六部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法－磁場(chǎng)探頭法
和集成電路電磁抗擾度標(biāo)準(zhǔn)IEC62132 。IEC61967 標(biāo)準(zhǔn)，用于150kHz 到1GHz
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第一部分：通用條件和定義（參考SAE J1752.1）
第二部分：輻射發(fā)射測(cè)量方法－TEM 小室法（參考SAE J1752.3）
第三部分：輻射發(fā)射測(cè)量方法－表面掃描法（參考SAE J1752.2）
第四部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法－1Ω/150Ω 直接耦合法
第五部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法－法拉第籠法WFC
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