電池保護(hù)板過充過放保護(hù)原理

如今社會電子化越來越普遍，也越來越多的產(chǎn)品內(nèi)部集成了電池，電池是一種通過內(nèi)部材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生電能的器件

2023-10-09 標(biāo)簽：MOSFET電池電壓體二極管 5191 1

如何用MOS管實現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢？

在我們?nèi)粘４蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中，基本上所有的電子元件都是用的直流電，因此當(dāng)我們的電源線插反時，極易容易燒壞電子產(chǎn)品。

2023-09-26 標(biāo)簽：MOS管降壓電路輸出電壓 1330 0

介紹一個使用單個MOS管來實現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路

我們?nèi)粘９ぷ髦袝?jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景，尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換，或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求

2023-10-02 標(biāo)簽：處理器MOS管體二極管 1588 0

MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽：元器件MOS管柵極 1.2萬 0

什么是負(fù)載開關(guān)？為什么需要負(fù)載開關(guān)及負(fù)載開關(guān)的保護(hù)功能？

負(fù)載開關(guān)是一個集成的電子繼電器，內(nèi)部用一個開關(guān)來連接和斷開系統(tǒng)電源軌。類似于閘刀，同時，集成了很多輔助保護(hù)功能。

2023-10-02 標(biāo)簽：繼電器負(fù)載開關(guān)體二極管 5352 0

影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些？

碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

2023-08-28 標(biāo)簽：MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1227 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 578 0

SGTMOS在電動二三輪車上有哪些應(yīng)用呢？

近年來，隨著新國標(biāo)的施行以及平衡車、滑板車、共享電單車等新應(yīng)用場景的出現(xiàn)，促使電動二三輪車市場迎來了新的發(fā)展熱潮。

2023-08-24 標(biāo)簽：蓄電池電動車bms 1346 0

驅(qū)動芯片在PSU電源系統(tǒng)應(yīng)用中有哪些問題？如何解決？

通信電源PSU在通訊設(shè)備中擔(dān)任著很重要的角色，PSU問題將會導(dǎo)致整個通訊設(shè)備無法正常運作。

2023-08-23 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動芯片濾波電容器 779 0

開關(guān)管MOSFET的損耗分析及其優(yōu)化方法

本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。

2023-08-17 標(biāo)簽：變壓器MOSFETemi 4131 0

500V平面MOS在高速電吹風(fēng)筒上有何應(yīng)用？

高速電吹風(fēng)筒是指使用了BLDC電機，轉(zhuǎn)速在10萬轉(zhuǎn)/分鐘以上的吹風(fēng)機，此類吹風(fēng)機采用的直流無刷電機馬達(dá)，具有轉(zhuǎn)速高、體積小、壽命長等優(yōu)點，在外觀方面高速...

2023-08-15 標(biāo)簽：MOS管BLDC電機體二極管 1682 0

MOS管的死區(qū)損耗計算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFE...

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFETBUCKMOS管 2007 0

森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較...

2023-07-20 標(biāo)簽：MOSFETMOS體二極管 1267 1

MOS管導(dǎo)通損耗的計算方法

MOS 管計算導(dǎo)通損耗時，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

2023-07-19 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻輸出電流 2906 0

兩個MOS管串聯(lián)接法的應(yīng)用

本文是關(guān)于兩個MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。

2023-07-19 標(biāo)簽：串聯(lián)接口usb 3.1萬 1

功率MOSFET的UIS雪崩損壞模式

功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。

2023-06-29 標(biāo)簽：三極管MOSFET晶體管 2725 0

MOS的電流方向是唯一的嗎？

在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個方向流動，但實際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒有。

2023-06-20 標(biāo)簽：MOS管NMOSBJT 7603 0

有源鉗位正激電路分析之續(xù)流管尖峰電壓

硬開關(guān)電源最頭疼的應(yīng)該是MOSFET電壓應(yīng)力尤其是續(xù)流管的尖峰電壓抑制，這涉及到MOSFET的可靠性，和效率及熱性能是互相折中的。

2023-06-23 標(biāo)簽：電路分析MOSFET有源鉗位 3822 0

LLC的短路調(diào)試記錄

管子能在短時間內(nèi)扛住較大的脈沖電流，且不能損壞。這對選擇MOSFET時，需要對SOA區(qū)域和最大的脈沖電流有一定的考慮。當(dāng)然，講到這里。就需要考慮管子的體...

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET調(diào)試LLC 2164 0