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標(biāo)簽 > 體二極管
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LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中,如果偏離預(yù)期的諧振條件,MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會引發(fā)直通電流,這可能會造成開關(guān)損耗增加,最壞的情況下可能會...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1637 0
介紹一個使用單個MOS管來實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路
我們?nèi)粘9ぷ髦袝?jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景,尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換,或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求
Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
如何用MOS管實(shí)現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢?
在我們?nèi)粘4蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中,基本上所有的電子元件都是用的直流電,因此當(dāng)我們的電源線插反時,極易容易燒壞電子產(chǎn)品。
同步整流芯片U7116是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān),可以在 GaN 系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
引言:上節(jié)(傳送門:CSS-1:單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案-1)簡單講解了PCM在充放電過程中的運(yùn)行過程,對于一個鋰電池組的PCM設(shè)計來說,不僅僅需要滿足法...
森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...
影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些?
碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1201 0
在電子元件中,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS管)是獨(dú)特且重要,然而相比其他元件,MOS管很容易失效,導(dǎo)致電路無法正常運(yùn)行,因此工程師必須查找原因...
Buck、Boost、Buck-Boost作為直流開關(guān)電源中應(yīng)用廣泛的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),屬于非隔離的直流變換器。
2023-06-09 標(biāo)簽:開關(guān)電源濾波電容直流變換器 1064 0
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極...
ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡介和常見問題解答
ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負(fù)載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
因此,在PSFB電路中,需要使用trr小的MOSFET。簡言之,trr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET,但制造商和產(chǎn)品系列不...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 795 0
驅(qū)動芯片在PSU電源系統(tǒng)應(yīng)用中有哪些問題?如何解決?
通信電源PSU在通訊設(shè)備中擔(dān)任著很重要的角色,PSU問題將會導(dǎo)致整個通訊設(shè)備無法正常運(yùn)作。
MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 569 0
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