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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)。現(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展，探索了扇出型封裝、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)封裝等多種封裝工藝。晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)已被廣泛應(yīng)...

2024-10-16 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)封裝工藝 822 0

淺談?dòng)⑻貭栐谙冗M(jìn)封裝領(lǐng)域的探索

隨著工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，英特爾也在不斷推進(jìn)下一代封裝技術(shù)的發(fā)展。對(duì)高性能硅需求與工藝節(jié)點(diǎn)開發(fā)相結(jié)合，創(chuàng)造了一種新的方案，即處理器不再是單片硅，而是依賴于多個(gè)...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片英特爾封裝技術(shù) 509 0

芯片和先進(jìn)封裝的制程挑戰(zhàn)和解決方案

當(dāng)今世界，人工智能的迅猛發(fā)展已經(jīng)成為熱門話題，當(dāng)人們都在關(guān)注它將如何改變我們未來生活的時(shí)候，身處芯片業(yè)的工程師們開始關(guān)注如何在有限的物理空間內(nèi)，將芯片的...

2024-09-25 標(biāo)簽：芯片晶圓 chiplet 849 0

如何控制先進(jìn)封裝中的翹曲現(xiàn)象

在先進(jìn)封裝技術(shù)中，翹曲是一個(gè)復(fù)雜且重要的議題，它直接影響到封裝的成功率和產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性。以下是對(duì)先進(jìn)封裝中翹曲現(xiàn)象的詳細(xì)探討，包括其成因、影響、控制策...

2024-08-06 標(biāo)簽：封裝技術(shù)翹曲先進(jìn)封裝 1334 0

先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝的區(qū)別

先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）是一種新型的電子封裝技術(shù)，它旨在通過創(chuàng)新的技術(shù)手段，將多個(gè)芯片或其他電子元器件以更高的集成度、更小的尺寸...

2024-07-18 標(biāo)簽：芯片封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 3871 0

人工智能芯片在先進(jìn)封裝面臨的三個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)

IC封裝面臨的制造挑戰(zhàn)有哪些？人工智能芯片的封裝就像是一個(gè)由不同尺寸和形狀的單個(gè)塊組成的拼圖，每一塊都對(duì)最終產(chǎn)品至關(guān)重要。這些器件通常集成到2.5DIC...

2024-05-08 標(biāo)簽：芯片 IC封裝人工智能 1614 0

扇出型封裝晶圓級(jí)封裝可靠性問題與思考

在 FOWLP 中存在兩個(gè)重要概念, 即扇出型封裝和晶圓級(jí)封裝。如圖 1 所示, 扇出型封裝(Fan-out)是與扇入型封裝(Fan-in)對(duì)立的概念,...

2024-04-07 標(biāo)簽：封裝晶圓級(jí)封裝 FOWLP 1787 1

Nvidia芯片工藝先進(jìn)封裝演進(jìn)洞察

根據(jù)IRDS的樂觀預(yù)測(cè)，未來5年，邏輯器件的制造工藝仍將快速演進(jìn)，2025年會(huì)初步實(shí)現(xiàn)Logic器件的3D集成。TSMC和Samsung將在2025年左...

2024-03-15 標(biāo)簽：cpu NVIDIA gpu 1553 0

先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)格局全景解析

隨著芯片在算速與算力上的需求同步提升，當(dāng)前高速信號(hào)傳輸、優(yōu)化散熱性能、實(shí)現(xiàn)更小型化的封裝、降低成本、提高可靠性以及實(shí)現(xiàn)芯片堆疊等已成為封裝領(lǐng)域的新追求。

2024-03-13 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 1270 0

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)之CoWoS

芯片上數(shù)據(jù)的輸入和輸出 (I/O) 是計(jì)算芯片的命脈。處理器必須與外部世界進(jìn)行數(shù)據(jù)的發(fā)送和接收。摩爾定律使業(yè)界的晶體管密度大約每2年增加2倍，但 I/O...

2024-02-26 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片封裝 CoWoS 2637 0

TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望

先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)廠商，開發(fā)了一大批專利技術(shù)，使用TSV達(dá)成各種復(fù)...

2024-02-25 標(biāo)簽：sram 芯片設(shè)計(jì)TSV 1162 0

詳細(xì)解讀先進(jìn)封裝技術(shù)

最近，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域又出現(xiàn)了一個(gè)新的名詞“3.5D封裝”，以前聽?wèi)T了2.5D和3D封裝，3.5D封裝又有什么新的特點(diǎn)呢？還是僅僅是一個(gè)吸引關(guān)注度的噱頭？

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芯片先進(jìn)封裝的優(yōu)勢(shì)

芯片的先進(jìn)封裝是一種超越摩爾定律的重要技術(shù)，它可以提供更好的兼容性和更高的連接密度，使得系統(tǒng)集成度的提高不再局限于同一顆芯片。

2024-01-16 標(biāo)簽：芯片倒裝芯片晶圓級(jí)封裝 1264 0

傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的區(qū)別

半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級(jí)封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到S...

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淺談先進(jìn)封裝的四要素

說起傳統(tǒng)封裝，大家都會(huì)想到日月光ASE，安靠Amkor，長(zhǎng)電JCET，華天HT，通富微電TF等這些封裝大廠OSAT；說起先進(jìn)封裝，當(dāng)今業(yè)界風(fēng)頭最盛的卻是...

2023-12-21 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶圓 1125 0

推動(dòng)AI高性能計(jì)算的先進(jìn)封裝解決方案

在半導(dǎo)體前段制程微縮日趨減緩后，異質(zhì)整合先進(jìn)封裝技術(shù)已然成為另一個(gè)實(shí)現(xiàn)功能整合與元件尺寸微縮的重要技術(shù)發(fā)展潮流。伴隨著人工智能物聯(lián)網(wǎng) (AI-centr...

2023-12-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì) 1134 0

先進(jìn)封裝形式及其在三維閃存封裝中的可能應(yīng)用

SiP 是將不同功能的芯片(例如存儲(chǔ)器、處理器無源器件等)封裝在同一個(gè)塑封體中,以此來實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整功能的封裝形式4.具有高集成、低功耗、良好的抗機(jī)械和化...

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先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理以及存儲(chǔ)的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 882 0

先進(jìn)封裝RDL-first工藝研究進(jìn)展

隨著摩爾定律逐步達(dá)到極限，大量行業(yè)巨頭暫停了 7 nm 以下工藝的研發(fā)，轉(zhuǎn)而將目光投向先進(jìn)封裝領(lǐng)域。其中再布線先行（ RDL-first ）工藝作為先...

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 FIRST 2280 0

先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn)過程

半導(dǎo)體芯片封裝的目的無非是要起到對(duì)芯片本身的保護(hù)作用和實(shí)現(xiàn)芯片之間的信號(hào)互聯(lián)。在過去的很長(zhǎng)時(shí)間段里，芯片性能的提升主要是依靠設(shè)計(jì)以及制造工藝的提升。

2023-12-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝 923 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)

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