光刻工藝中使用的曝光技術

根據所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學光刻技術中，有部分不透明和部分不透明的圖...

2022-07-27 標簽：光刻曝光 4017 0

帕克推出新型半導體工具Park NX-Hybrid WLI

2022年5月20日，美國總統拜登在韓國總統尹錫悅陪同下視察了三星半導體工廠擴建的最新產線，三星半導體的工作人員向總統們介紹了其產品的部署進展時，介紹了...

2022-06-24 標簽：半導體光刻 1138 0

光刻膠剝離工藝的基本原理

雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了...

2022-05-12 標簽：工藝光刻蝕刻 2645 0

采用雙層抗蝕劑法去除負光刻膠

本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量...

2022-03-24 標簽：工藝參數光刻 1004 0

使用濕化學物質去除光刻膠和殘留物

在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關鍵。在前端線后離子注入（源極/漏極、擴展），使用PR來阻斷部分電路導致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線...

2022-03-24 標簽：電路光刻器件 1259 0

通過臭氧微氣泡進行半導體晶圓的光刻膠去除實驗

半導體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與...

2022-03-24 標簽：半導體制造光刻 1104 0

晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應用

什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應用；軟烤；掩模對準；曝光和顯影；和硬烤。

2022-03-15 標簽：工藝光刻晶片 1118 0

光刻技術是什么,有哪些作用

光刻是在掩模中轉移幾何形狀圖案的過程，是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ，也是一種半導體晶片。 圖5.1簡要說明了光刻用于集成電路制...

2022-03-09 標簽：晶圓工藝光刻 5709 0

潔凈室光刻工藝石墨烯生物傳感器的制作

我們華林科納研究了用于電解門制造的潔凈室工藝用于生物傳感的晶片尺度石墨烯場效應晶體管。 我們的制造該工藝克服了兩個主要問題:去除石墨烯圖案化后的表面殘留...

2022-03-07 標簽：傳感器工藝光刻 707 0

用于微系統的先進光刻膠技術

對用于微加工微系統(MST)產品的高縱橫比光致抗蝕劑的發展的日益增長的興趣導致了許多商業上可獲得的光致抗蝕劑產品的可用性。本文詳細描述了三種抗蝕劑的應用...

2022-03-04 標簽：芯片半導體光刻 809 0

光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導體工藝》

摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝，同時保持低缺陷水平和至少相當于記錄工藝的高產量性能。灰化步驟的消除減少了不希望的...

2022-03-01 標簽：半導體光刻 1678 0

光刻中接觸孔和溝槽的雙重構圖策略

摘要 一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個開口內形成第二抗蝕劑圖案，...

2022-03-01 標簽：半導體光刻 597 0

超臨界二氧化碳處理技術在光刻技術中的應用

作為半導體器件和MEMS微加工技術基礎的光刻技術中，顯影和清洗等濕法工藝是必不可少的。在本稿中，介紹了能夠定量評價超臨界CO2處理對微細光刻膠圖案―基板...

2022-02-25 標簽：半導體mems光刻 1004 0

關于非晶半導體中的光刻工藝的研究報告

引言 在光刻過程中，光敏材料根據其上的輻照量改變其在某些蝕刻劑中的溶解度。在高分辨率光刻材料的薄層中形成的浮雕圖案可以作為集成光學或集成電子器件的組件使...

2022-01-19 標簽：半導體光刻 504 0

關于濕蝕刻中蝕刻劑擴散到深紫外光刻膠中的研究報告

引言 在許多集成電路制造步驟中，化學蝕刻仍然優于等離子體蝕刻。事實上，它能夠實現更好的表面光滑度控制，這是獲得足夠的載流子遷移率至關重要的。在這些步驟中...

2022-01-18 標簽：光刻光刻膠 556 0