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標(biāo)簽 > 光刻

光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻資訊

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LED替代汞燈在紫外光源中的使用已成為大勢(shì)所趨。友思特先進(jìn)的 UV-LED-EXP 系統(tǒng)可作為OEM集成、汞燈光刻設(shè)備改造或直接定制光路設(shè)計(jì)和曝光設(shè)備,...

2024-06-26 標(biāo)簽:光刻光引擎UV-LED 590 0

應(yīng)對(duì)先進(jìn)工藝碳排放挑戰(zhàn),Imec開(kāi)發(fā)晶圓廠可持續(xù)發(fā)展評(píng)估模型

隨著技術(shù)的發(fā)展,與ic制造相關(guān)的排放量也增加了,特別是光刻和蝕刻能耗較大,例如n3工程中光刻工序產(chǎn)生的二氧化碳排放量約占45%。imec的工程師們半導(dǎo)體...

2023-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)光刻蝕刻 572 0

基于富硫聚合物的高靈敏紅外偏振器

與常規(guī)紅外材料不同,富硫聚合物可溶解在有機(jī)溶劑中,這意味著其可應(yīng)用于基于溶液的旋涂方法。此外,富硫聚合物擁有的粘滯彈性和動(dòng)態(tài)共價(jià)二硫鍵使其可被熱納米壓印...

2023-01-05 標(biāo)簽:紅外光刻偏振 570 0

替代EUV光刻,新方案公布!

來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 隨著英特爾、三星、臺(tái)積電以及日本即將落成的先進(jìn)晶圓代工廠 Rapidus盡管各家公司都各自準(zhǔn)備將...

2024-06-17 標(biāo)簽:光刻EUV 560 0

關(guān)于濕蝕刻中蝕刻劑擴(kuò)散到深紫外光刻膠中的研究報(bào)告

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引言 在許多集成電路制造步驟中,化學(xué)蝕刻仍然優(yōu)于等離子體蝕刻。事實(shí)上,它能夠?qū)崿F(xiàn)更好的表面光滑度控制,這是獲得足夠的載流子遷移率至關(guān)重要的。在這些步驟中...

2022-01-18 標(biāo)簽:光刻光刻膠 559 0

IBM、美光、應(yīng)用材料、東京電子宣布合作建設(shè) High-NA EUV 研發(fā)中心

12 月 12 日消息,今天早些時(shí)候,紐約州長(zhǎng)凱西?霍楚爾(Kathy Hochul )宣布與 IBM、美光、應(yīng)用材料、東京電子(東京威力科創(chuàng))等半導(dǎo)體...

2023-12-14 標(biāo)簽:IBM光刻美光 510 0

關(guān)于非晶半導(dǎo)體中的光刻工藝的研究報(bào)告

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引言 在光刻過(guò)程中,光敏材料根據(jù)其上的輻照量改變其在某些蝕刻劑中的溶解度。在高分辨率光刻材料的薄層中形成的浮雕圖案可以作為集成光學(xué)或集成電子器件的組件使...

2022-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻 506 0

什么是光刻掩膜版保護(hù)膜?

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大家都知道掩膜版主要由基板、遮光層和保護(hù)膜組成,其中基板(主要采用玻璃基材,包括石英 和蘇打兩種材質(zhì))占直接原材料成本比重達(dá)90%。 那么什么是掩膜版保...

2024-08-16 標(biāo)簽:芯片光刻保護(hù)膜 490 0

SLM在三維直接光刻中的多點(diǎn)加工

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現(xiàn)代激光加工,以超快激光加工為主,即使用高強(qiáng)度的超快激光進(jìn)行材料加工。具有峰值功率高、熱熔區(qū)域小、加工速度快和重復(fù)精度高的特點(diǎn)。 濱松LCOS-SLM則...

2023-12-13 標(biāo)簽:激光光刻SLM 489 0

SK海力士聯(lián)手TEMC開(kāi)發(fā)氖氣回收技術(shù),年度節(jié)省400億韓元

SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進(jìn)行純化處理,最后回流至 SK 海力士使用。

2024-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻SK海力士 483 0

隆基27.09%刷新硅太陽(yáng)能電池效率世界紀(jì)錄

針對(duì)HBC太陽(yáng)電池圖形化技術(shù)高成本的瓶頸,隆基綠能持續(xù)自主創(chuàng)新研發(fā),放棄了高成本的光刻工藝,采用全激光圖形化技術(shù)實(shí)現(xiàn)了27.09%的轉(zhuǎn)換效率。

2023-12-20 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光刻隆基 466 0

友思特應(yīng)用 硅片上的光影貼合:UV-LED曝光系統(tǒng)在晶圓邊緣曝光中的高效應(yīng)用

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晶圓邊緣曝光是幫助減少晶圓涂布過(guò)程中多余的光刻膠對(duì)電子器件影響的重要步驟。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能點(diǎn)光源,作為唯一可用...

2024-07-25 標(biāo)簽:晶圓光刻UV-LED 457 0

關(guān)于高數(shù)值孔徑EUV和曲線光掩模等燈具的討論

半導(dǎo)體芯科技編譯 來(lái)源:Silicon Semiconductor eBeam Initiative已完成第12屆年度eBeam Initiative杰...

2023-10-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻EUV 452 0

VCSEL激光在蝕刻和光刻中的應(yīng)用與前景

VCSEL激光在蝕刻和光刻中應(yīng)用廣泛,提高精度和效率。銀月光科技提供多波長(zhǎng)VCSEL激光器,定制化服務(wù),助力工業(yè)生產(chǎn)高效高質(zhì)量。未來(lái),更多種類VCSEL...

2024-08-01 標(biāo)簽:激光光刻蝕刻 433 0

英特爾推進(jìn)面向未來(lái)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)創(chuàng)新,在2025年后鞏固制程領(lǐng)先性

英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。...

2024-05-16 標(biāo)簽:英特爾光刻EUV 432 0

基于選擇性紫外光刻的光纖微圖案化

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科學(xué)家利用選擇性紫外光刻實(shí)現(xiàn)復(fù)合纖維材料的光纖微圖案化

2022-12-22 標(biāo)簽:光纖光刻 418 0

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場(chǎng)格局發(fā)展現(xiàn)狀

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生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹(shù)脂、溶劑和其他添加劑等,我國(guó)由于資金和技術(shù)的差距,如感光劑、樹(shù)脂等被外企壟斷,...

2023-11-01 標(biāo)簽:芯片光刻光刻膠 407 0

10.8.5 光刻-電鍍-注塑技術(shù)(LIGA)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

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點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們Lithographie-Galvanoformung-Abformung(LIGA)審稿人:北京大學(xué)王瑋審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂...

2022-05-24 標(biāo)簽:集成電路光刻 383 0

光掩膜基版在光刻中的作用

想必大家都有所了解,光刻機(jī)對(duì)芯片制造的重要性,而光掩膜版又稱光罩,光掩膜等; 光掩膜版是由制造商通過(guò)光刻制版工藝將電路圖刻制于基板上制作而成,主要作用體...

2024-10-09 標(biāo)簽:光刻 362 0

美光計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹在將...

2024-03-06 標(biāo)簽:光刻美光DRAM芯片 325 0

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    TTP223是觸摸鍵檢測(cè)IC,提供1個(gè)觸摸鍵。觸摸檢測(cè)IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計(jì)的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點(diǎn)。111
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    SM7525
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松玥a jf_92148107 jf_02593861 jf_55870080 jf_85333630 jf_07556477 jf_44990220 夜漠寒

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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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