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標簽 > 刻蝕
刻蝕,英文為Etch,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。
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光刻蝕(Photolithography)是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術,用于制造微細結構和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學和物理作用,...
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜,降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...
刻蝕(Etching)的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程,通過移除材料表面的原子或分子,使材料發(fā)生形貌變化。
刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼,常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中,這個過程常常用于雕刻芯...
環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式,環(huán)氧塑封器件開封方法有化學方法、機械方法和等離子體刻蝕法,化學方法是最廣泛使用的方法,又分手動開封和機械開封兩種。
硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶...
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術節(jié)點,高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...
在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難,而在封裝階段利用三維空間可以視作 對摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實現(xiàn)先進封裝的常用技術手段,現(xiàn)有技...
對于濕法刻蝕,大部分刻蝕的終點都取決于時間,而時間又取決于預先設定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法,所以通常由操作員目測終點。濕法...
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