氧化硅刻蝕速率的提高方法

摘要 等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時。主要的含氟...

2022-02-24 標簽：半導體刻蝕 3111 0

濕法刻蝕工藝操作規程

通過化學反應腐蝕掉硅片背面及四周的PN結以達到正面與背面絕緣的目的同時去除正面的磷硅玻璃層。

2022-09-06 標簽：工藝硅片刻蝕 2644 0

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們華林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調整蝕刻參數，如等離子體強度、溫度和持續時間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫...

2022-05-19 標簽：石墨烯刻蝕 2544 0

KOH硅濕化學刻蝕—江蘇華林科納半導體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕基底。也就是說，它們...

2022-01-11 標簽：刻蝕GBDT 2544 0

TMAH溶液對硅得選擇性刻蝕研究

我們華林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗，評價了硅摩擦誘導的選擇性蝕刻的機理，各種表面...

2022-05-20 標簽：刻蝕刻蝕機 2397 0

各種光刻技術你都了解嗎？

當制程節點演進到5nm時，DUV和多重曝光技術的組合也難以滿足量產需求了，EUV光刻機就成為前道工序的必需品了，沒有它，很難制造出符合應用需求的5nm芯...

2023-10-13 標簽：集成電路光刻機EUV 2279 0

泛林集團推開創性的選擇性刻蝕解決方案 加速實現3D

通過與客戶、技術專家和產品團隊的合作，他們已經在選擇性刻蝕創新方面實現突破，這將使世界領先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設備。

2022-03-22 標簽：刻蝕刻蝕工藝泛林集團 2142 0

***產業鏈廠商分析 國產半導體設備廠商迎新機遇

此前，國家知識產權局公布了一項華為新的專利。反射鏡、光刻設備及其控制方法在極紫外光刻及核心技術上取得突破性進展。 4月，哈工大宣布實現了“電能轉化等離子...

2023-08-09 標簽：光刻機刻蝕半導體設備 2094 0

半導體前端工藝：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形

在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是...

2023-06-15 標簽：半導體晶圓刻蝕 2075 0

改善刻蝕均勻性的技術

摘要 一種形成介電間隔物的方法，包括提供襯底，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁該襯底包括具有第一多個柵極結構的第一區域和具有第二多個柵極結構的第二區...

2022-02-24 標簽：半導體刻蝕 1972 0

采用射頻磁控濺射系統制備氧化鋅薄膜

本文介紹了我們華林科納采用射頻磁控濺射系統，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備...

2022-05-09 標簽：射頻薄膜刻蝕 1879 0

PFA管用途之一：供酸系統（CDS）

主要用途：設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能...

2022-11-24 標簽：cds刻蝕 1769 0

非晶碳層的刻蝕特性研究

介紹 隨著半導體器件的小型化和超大規模集成(VLSI)電路的圖案密度的增加，單個光致抗蝕劑掩模不再適用于細線圖案化和接觸圖案化。 盡管單光刻膠掩模工藝被...

2022-06-13 標簽：半導體刻蝕 1720 0

硅在氫氧化鉀水溶液中的刻蝕機理

本文根據測量的OCP和平帶電壓，構建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質中p-St的能帶圖，進行了輸入電壓特性的測量來驗證這些能帶圖...

2022-03-17 標簽：硅材料刻蝕 1531 0