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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

半導(dǎo)體前端工藝：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

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2023-06-15 標簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 2064 0

東京電子成功開發(fā)400層堆疊3D NAND閃存技術(shù)

這一創(chuàng)新技術(shù)可在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深度的刻蝕，比以往的技術(shù)大大縮短了時間。東京電子方面表示：“如果應(yīng)用該技術(shù)，不僅有助于制造高容量3d nand...

2023-06-12 標簽：3D 刻蝕 1136 0

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

作者：泛林集團半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測寄生電容的機器學(xué)習(xí)模型減少...

2023-03-28 標簽：半導(dǎo)體電容刻蝕 926 0

華林科納濕電子化學(xué)品工作站為濕法制程研究保駕護航

前言濕法制程工藝即制造過程中需要使用化學(xué)藥液的工藝，被廣泛使用于集成電路、平板顯示、太陽能光伏等領(lǐng)域的制造過程中。以集成電路領(lǐng)域為例，晶圓制造過程中，...

2023-02-22 標簽：制程晶圓制造刻蝕 567 0

PFA管用途之一：供酸系統(tǒng)（CDS）

主要用途：設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能...

2022-11-24 標簽：cds 刻蝕 1763 0

濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的...

2022-11-11 標簽：集成電路刻蝕 1.5萬 0

干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）

干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴散到圓片表面被吸附。

2022-11-10 標簽：等離子體刻蝕 6539 0

濕法刻蝕工藝操作規(guī)程

通過化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)以達到正面與背面絕緣的目的同時去除正面的磷硅玻璃層。

2022-09-06 標簽：工藝硅片刻蝕 2641 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝之濕法腐蝕工藝課堂4（中）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/28/pYYBAGLo3...

2022-08-09 標簽：腐蝕刻蝕 729 0

干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化...

2022-07-21 標簽：光刻膠刻蝕 7027 0

非晶碳層的刻蝕特性研究

介紹隨著半導(dǎo)體器件的小型化和超大規(guī)模集成(VLSI)電路的圖案密度的增加，單個光致抗蝕劑掩模不再適用于細線圖案化和接觸圖案化。盡管單光刻膠掩模工藝被...

2022-06-13 標簽：半導(dǎo)體刻蝕 1719 0

碳化硅量子點的制備及應(yīng)用研究

尋找理想的體內(nèi)發(fā)光生物標志物是一個巨大的挑戰(zhàn)，因為需要滿足嚴格的標準:生物標志物應(yīng)該(I)無毒和生物惰性，(ii)光穩(wěn)定，即不發(fā)光，iii)不顯示發(fā)光的...

2022-06-09 標簽：碳化硅量子點刻蝕 596 0

TMAH溶液對硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗，評價了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機理，各種表面...

2022-05-20 標簽：刻蝕刻蝕機 2396 0

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫...

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采用射頻磁控濺射系統(tǒng)制備氧化鋅薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備...

2022-05-09 標簽：射頻薄膜刻蝕 1876 0

硅化物膜的濺射刻蝕速率研究

我們測量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對濺射刻蝕速率幾乎與...

2022-05-07 標簽：測量硅薄膜刻蝕 1518 0

中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長57.31%

? ? ? 中微公司2022年第一季度財務(wù)報告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財務(wù)報告，摘要如下：...

2022-04-28 標簽：MOCVD 刻蝕中微公司 5249 0

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

RCA標準清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個順序步驟：標準清潔1（SC-1）和標準清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過氧化...

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泛林集團推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品泛林集團深信創(chuàng)新不僅來自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細致和努力交付才能實現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界...

2022-03-22 標簽：集成電路晶圓刻蝕 3046 0

泛林集團推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案加速實現(xiàn)3D

通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團隊的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設(shè)備。

2022-03-22 標簽：刻蝕刻蝕工藝泛林集團 2141 0

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