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標簽 > 刻蝕
刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻 ［1］ 相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。
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本文根據測量的OCP和平帶電壓，構建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質中p-St的能帶圖，進行了輸入電壓特性的測量來驗證這些能帶圖...
本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。
刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝...
摘要 ? 絕緣體上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通過使用兩個硅晶片的晶片鍵合技術制備的。該生產過程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干凈...
摘要 一種形成介電間隔物的方法，包括提供襯底，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁該襯底包括具有第一多個柵極結構的第一區域和具有第二多個柵極結構的第二區...
摘要 等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時。主要的含氟...
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產需要完全去除Si3N4，同...
摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過觸控筆輪廓儀和掃描...
摘要 金剛石具有優良的物理和電子性能，因此使用金剛石的各種應用正在開發中。此外，通過蝕刻技術控制金剛石幾何形狀對于這類應用至關重要。然而，用于蝕刻其他材...
引言 AlN、GaN及其合金因其寬帶隙和獨特的性能被廣泛應用于光電子領域，例如基于AlGaN的紫外線發光二極管(UV-LEDs) ，激光二極管(LD)，...
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕基底。也就是說，它們...
引言 隨著制造技術的不斷進步，特別是基于納米或微米結構的制造，已經研究出了具有強光學限制的各種制造工藝.兩種最廣泛使用的基于擴散的制造波導的方法已經在超...
引言 鈮酸鋰是一種廣泛應用于光學和聲表面波器件的鐵電材料。鈮酸鋰通常不用于微機電系統(MEMS)應用，部分原因是鈮酸鋰的體微加工不如與其他材料的加工那樣...
自從發現表面增強拉曼散射(SERS)對于粗糙表面的影響以來，許多研究已經開始對多樣化的、有發展的SERS基底進行了探索。目前，大多數的研究集中在各種納米...
memsstar在MEMS領域的技術實力，以及近期取得的進展
雖然我們提供的產品是MEMS設備，但那只是我們技術和工藝的載體。我們的MEMS設備中包含的先進MEMS工藝經驗和知識，并且我們團隊還專注于可能在10~1...
半導體設備大廠Lam ResearchQ3營收創紀錄 三分之一營收來自中國
4月21日，半導體設備大廠Lam Research發布2021第三季度財報，營收創下新高，達到38.5億美元，高于此前37.2億美元的預期，達到單季的最...
2021-04-22 標簽：刻蝕營收Lam Research 6140 1
【芯聞精選】八寸晶圓廠狂漲價，硅片單價突破 1000 美元創十年新高；中微公司刻蝕機已進入國際客戶5nm產線
產業新聞 ? 臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目昨日簽約 ? 4月6日，臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目簽約儀式在秦皇島經...
摘要：簡述了在SiC材料半導體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結了近年來SiC干法刻蝕技術的工藝發展狀況. 半導體器件已廣泛應用...
摘要：MEMS應用領域的擴展要求開發硅材料之外其他新型材料的三維微細加工技術．為此，對金屬鈦這一新型MEMS體材料的三維加工進行了探索．金屬鈦不僅延展性...
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特...
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