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功率元器件技術

IGBT短路耐受時間的重要性

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時間（SCWT：Short Circuit Withstand Time）”的電氣特性（參數）。通常，在IGBT等功...

2024-10-08 標簽：IGBT 功率器件功率元器件 400 0

什么是IGBT IPM 有什么特點

IPM代表“Intelligent Power Module”，它是一種集合了IGBT、MOSFET等分立的功率半導體器件，以及它們的驅動電路和保護電路...

2024-02-23 標簽：IGBT IPM 功率元器件 1298 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別 SiC-MOSFET與IGBT的區別

率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，對其改良可以實現低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優勢。

2023-08-23 標簽：MOSFET IGBT SiC 1482 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1036 0

整流橋是如何設計選型的

整流橋作為一種功率元器件，廣泛應用于各種電源設備。其內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。

2023-04-20 標簽：整流橋交流電壓功率元器件 3124 0

探討正電壓浪涌的對策和其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS導通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關側）的VGS的正浪涌，正如在上一...

2023-02-28 標簽：MOSFET SiC 功率元器件 257 0

何謂碳化硅

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍色部分是用于功率元器件時的重要參數。如數值所示，SiC的這些參數頗具優勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是...

2023-02-22 標簽：半導體 SiC 功率元器件 2955 0

相移全橋電路的功率轉換效率提升：PSFB電路的基本結構

作為Si功率元器件評估篇的第2波，將開始一系列有關Si功率元器件通過PSFB電路進行“相移全橋電路的功率轉換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...

2023-02-13 標簽：MOSFET 全橋電路功率元器件 4858 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。

2023-02-09 標簽：MOSFET SiC 浪涌 1198 0

測量柵極和源極之間電壓時需要注意的事項

SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2022-09-14 標簽：散熱器柵極功率元器件 953 0

淺談柵極-源極電壓產生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 標簽：MOSFET SiC 功率元器件 2904 0

ROHM開發出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術

與硅器件相比，GaN器件具有更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能，因而在基站和數據中心等領域作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現小型化的器件被寄予厚望。

2021-04-08 標簽：電源電路無線充電 Rohm 1078 0

SiCMOSFET如何實現降低功率轉換過程中能量損耗

人們普遍認為，SiCMOSFET可以實現非?？斓拈_關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實際...

2021-01-27 標簽：SiC 功率半導體功率晶體管 3477 0

5G基建催生龐大電源需求，且看羅姆的應對之策

隨著5G信號逐漸大規模覆蓋，大量5G基站的新建與重建以及4G基站的擴容已經逐步開工，這勢必會為電源市場帶來新的機會，對鋰電池、機房溫控設備、基礎元件的需...

2020-01-17 標簽：羅姆 5G 功率元器件 2135 0

探訪三亞FE現場，揭秘文圖瑞車隊精彩逆變

歷經Formula E三季的磨礪，羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊一同走過了怎樣的歷程？在香港站文圖瑞車隊勇奪冠軍，這背后離不開技術人員的默默付出。

2019-04-04 標簽：SiC 碳化硅羅姆 2151 0

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