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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體器件
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功率半導(dǎo)體的優(yōu)劣勢(shì)分析_功率半導(dǎo)體器件用途
本文介紹了什么是功率半導(dǎo)體器件,對(duì)功率半導(dǎo)體器件分類(lèi)和功率半導(dǎo)體器件優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析,分析了功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)以及功率半導(dǎo)體器件的基本功能和用途。
2018-01-13 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件 1.8萬(wàn) 0
本文首先介紹了功率半導(dǎo)體器件分類(lèi),其次介紹了大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展及國(guó)內(nèi)外功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展,最后介紹了功率半導(dǎo)體器件的研究意義。
2018-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件功率半導(dǎo)體器件 1.6萬(wàn) 0
什么是IGBT? IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由BJT(Bipolar J...
2021-02-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2019-07-02 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT功率半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
什么是穩(wěn)態(tài)?淺談穩(wěn)態(tài)熱分析的目的
在電子領(lǐng)域,特別是在PCBA領(lǐng)域,熱條件對(duì)于設(shè)備的生命周期,性能和功能至關(guān)重要。環(huán)境條件通常會(huì)影響設(shè)計(jì)人員在PCB上布局其組件的方法。 如此強(qiáng)調(diào)電子領(lǐng)域...
DBC基板銅箔厚度較大(一般為100μm~600μm),可滿足高溫、大電流等極端環(huán)境下器件封裝應(yīng)用需求(為降低基板應(yīng)力與翹曲,一般采用Cu-Al2O3-...
2023-07-01 標(biāo)簽:電子封裝陶瓷基板功率半導(dǎo)體器件 5607 0
浪涌電流脈沖的幅度和形狀由測(cè)量單元7控制。在浪涌電流脈沖結(jié)束之后,開(kāi)關(guān)10和11由來(lái)自同步電路13的命令閉合。
功率半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀與前沿趨勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分,隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展和電力電子技術(shù)水平的提高,功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新。目前,功率...
2023-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件 4112 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降...
功率半導(dǎo)體器件有哪些_功率半導(dǎo)體器件工藝流程
功率半導(dǎo)體器件是一種用于控制和轉(zhuǎn)換大功率電能的半導(dǎo)體器件,主要包括以下幾種類(lèi)型: 二極管:功率二極管是一種只允許電流單向流動(dòng)的半導(dǎo)體器件,常用...
2023-02-28 標(biāo)簽:二極管晶閘管功率半導(dǎo)體器件 3600 0
什么是穩(wěn)態(tài)?淺談PCBA設(shè)計(jì)中穩(wěn)態(tài)熱分析的目的
如此強(qiáng)調(diào)電子領(lǐng)域的熱條件,邏輯上必須保證特定類(lèi)型的熱分析。一種這樣的分析形式稱為穩(wěn)態(tài)熱分析,這是我們將要重點(diǎn)關(guān)注的。
大功率電力電子裝置常用的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件有哪些?
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
IGBT模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率、高效率等特點(diǎn)。 IGBT模塊的基本概念 IGBT(Insulate...
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有很多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細(xì)介紹。 優(yōu)點(diǎn): 1.高頻率特性:GaN芯片具有優(yōu)秀的高...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 2955 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量igbt好壞判斷
IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。正確判斷IGBT的好壞對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 1. IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:數(shù)字萬(wàn)用表IGBT電源轉(zhuǎn)換 2332 0
圖騰柱(Totem Pole)是一種用于驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu),它通過(guò)驅(qū)動(dòng)NPN和PNP晶體管形成雙極性開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流放大和開(kāi)關(guān)控制功能。功率...
2023-12-07 標(biāo)簽:晶體管PFC功率半導(dǎo)體器件 1725 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的正常工作至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)重要組成部分是...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電阻 1520 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,吸收電容是一種常見(jiàn)的輔助元件,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可...
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