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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注41人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1666個 瀏覽：90417次 帖子：49個

      功率器件技術(shù)

      功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

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      功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

      2024-11-05 標(biāo)簽：散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1198 0

      功率循環(huán)對IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命

      功率循環(huán)對IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命

      內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負(fù)載能力，并同時保持高質(zhì)量a和可靠...

      2024-04-26 標(biāo)簽：功率器件IGBTS功率循環(huán)測試 1194 0

      二極管器件的串聯(lián)和并聯(lián)應(yīng)用

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      二極管器件在進(jìn)行串聯(lián)應(yīng)用時，必須注意其靜態(tài)均壓和動態(tài)均壓。

      2023-08-17 標(biāo)簽：串聯(lián)并聯(lián)二極管 1194 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹

      隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。

      2024-01-03 標(biāo)簽：逆變器電機驅(qū)動功率器件 1194 0

      Revasum與SGSS建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

      Revasum是一家專門從事半導(dǎo)體器件制造過程中所用資本設(shè)備的設(shè)計和制造的公司，宣布與提供高性能材料和創(chuàng)新解決方案的圣戈班表面解決方案(SGSS)建立戰(zhàn)...

      2023-10-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓功率器件 1191 0

      【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之一：直擊電源設(shè)計不同階段痛點

      什么才是電源測試工程師所關(guān)注的測試難點？走訪了百位測試工程師，泰克將工程師的測試痛點總結(jié)出來。

      2020-02-27 標(biāo)簽：電源設(shè)計功率器件泰克科技 1186 0

      一種陽極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

      一種陽極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

      最近，AlGaN/GaN肖特基二極管（SBD）受到了越來越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點，因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...

      2023-02-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1185 0

      電源轉(zhuǎn)換器的發(fā)展方向是什么？

      對于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來越高。為了應(yīng)對這一要求，將集成MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶...

      2018-07-11 標(biāo)簽：mosfetdc轉(zhuǎn)換器功率器件 1185 0

      新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

      新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

      高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...

      2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1179 0

      功率器件的散熱計算

      功率器件及功率模塊的散熱計算，其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器，以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功...

      2023-02-16 標(biāo)簽：模塊散熱器功率器件 1177 0

      GaN和SiC功率器件的最佳用例

      GaN和SiC功率器件的最佳用例

      碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下...

      2022-07-29 標(biāo)簽：充電器功率器件SiC 1174 0

      碳化硅SiC在新能源汽車中的應(yīng)用分析

      碳化硅SiC在新能源汽車中的應(yīng)用分析

      SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動汽車、混合動力車的電機控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10，實現(xiàn)低功耗化；同時，能將新能源汽車的效率提...

      2023-10-25 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET功率器件 1169 0

      車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷，2023年看不到供需緩解跡象

      功率器件品類眾多，其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 1160 0

      功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響？如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢？

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      運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機械應(yīng)力，尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上，這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

      2024-04-24 標(biāo)簽：二極管IGBT功率器件 1160 0

      【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計

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      半橋電路（圖1）廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用，是現(xiàn)代設(shè)計中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅(qū)動器和布線正確且優(yōu)化設(shè)計時，這種電路的優(yōu)勢...

      2020-08-31 標(biāo)簽：示波器功率器件探頭 1153 0

      簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

      隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有...

      2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1148 0

      不同電壓和功率等級的三菱電機SiC功率器件介紹

      不同電壓和功率等級的三菱電機SiC功率器件介紹

      　除牽引逆變器外，輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件（如變壓器、...

      2023-10-15 標(biāo)簽：變壓器MOSFET三菱電機 1147 0

      專家分享：高效高可靠LED驅(qū)動設(shè)計的心得

      要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁Doug...

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      功率二極管的特點有哪些

      功率二極管是一種高電流和電壓的二極管承受能力是用于交流電源轉(zhuǎn)換成直流電源，或用于控制高壓電路的電流。功率二極管的主要特性是能夠承受大電流和電壓，因此通常...

      2023-02-18 標(biāo)簽：二極管功率二極管功率器件 1139 0

      SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案

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      毫無疑問，所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力，在過去五年中，汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗場。基于 SiC 的傳動系統(tǒng)逆變器——將來...

      2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET功率器件碳化硅 1139 0

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