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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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通常,由于磷酸鐵鋰電池的特性,在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過程進(jìn)行保護(hù),以免過充過放或過熱,以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過程中一種極端惡劣的工作條件,...
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí),功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí),其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值),電流耐量則得按器件...
2018-12-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源變換器功率器件 1.2萬(wàn) 2
晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步,越來越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...
三極管有三個(gè)工作狀態(tài);截止、放大、飽和;放大狀態(tài)很有學(xué)問也很復(fù)雜,多用于集成芯片,比如運(yùn)放,現(xiàn)在不討論;其實(shí)對(duì)信號(hào)的放大我們通常用運(yùn)放處理。三極管更多的...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前,GaN的制造...
EMI及PCB設(shè)計(jì)與開關(guān)頻率詳解
電源模塊發(fā)展至今,工程師們都著眼于如何將模塊做得更為小型化,輕量化,其實(shí)大家都明白可以通過提升開關(guān)頻率來提高產(chǎn)品的功率密度。但為什么迄今為止模塊的體積沒...
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路,縮小并制作在極...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...
化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...
功率 IC (Power IC)是一種專門用于處理功率信號(hào)的集成電路。與傳統(tǒng)的模擬電路和數(shù)字電路相比,功率 IC 具有更高的集成度、更小的體積、更高的性...
利用現(xiàn)有設(shè)計(jì)專知,強(qiáng)化功率模塊在汽車領(lǐng)域應(yīng)用
整合不僅有助于節(jié)省空間,而且還可以幫助降低成本,提高可靠性,加快新產(chǎn)品的上市進(jìn)程。有利的是,在家電行業(yè)中獲得的現(xiàn)有的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),可以幫助滿足這些要求。
2017-08-31 標(biāo)簽:汽車電子電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 9639 0
各種SiC功率器件的研究和開發(fā)進(jìn)入迅速發(fā)展時(shí)期
SiC的禁帶寬度3.23ev,相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸,則功率器件的工作溫度將會(huì)提升到一個(gè)全新的高度。SiC材...
一個(gè)用開關(guān)調(diào)節(jié)方式控制電能的方案設(shè)計(jì)
準(zhǔn)諧振變換器出現(xiàn)在上世紀(jì)80年代中期,包括零電流開關(guān)準(zhǔn)諧振(ZCS QRC) 和零電壓開關(guān)準(zhǔn)諧振(ZVS QRC) 。這兩種電路雖然使主開關(guān)管在零電壓或...
2017-11-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管變換器功率器件 8967 0
氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵功率器件的可靠性分析
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件,它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對(duì)方法
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí),功率器件就會(huì)被開通;而當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí),功率器...
2022-11-29 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 8474 0
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