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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業,最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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今天給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計,如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
碳化硅功率器件依托其開關性能的優勢,在電機驅動系統中得到了廣泛地應用,然而,其過快的開關響應速度及過大的開關振蕩給系統帶來了嚴重的EMI問題。通過采用理...
伴隨著功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不斷發展,散熱成為影響器件性能與可靠性的關鍵技術。對于電子器件而言,通常溫度每升高 10°...
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內外最新研究進行了概括總結,展望了Ga2O3在未來的應用與發展前景。
低頻紋波是與輸出電路的濾波電容容量相關。由于開關電源體積的限制,電解電容的容量不可能無限制地增加,導致輸出低頻紋波的殘留,該輸出紋波頻率隨整流電路方式的...
微波功率放大器主要分為真空和固態兩種形式。基于真空器件的功率放大器,曾在軍事裝備的發展史上扮演過重要角色,而且由于其功率與效率的優勢,現在仍廣泛應用于雷...
鋁線鍵合是目前工業上應用最廣泛的一種芯片互連技術,鋁線鍵合技術工藝十分成熟,且價格低廉。鋁線根據直徑的不同分為細錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...
碳化硅產業鏈主要包括襯底、外延、器件設計、制造、封測等環節。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應用。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體...
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發熱功率密度變得更大,在熱導率和熱阻相同的情況下,會使得封裝體和裸芯的溫度更...
IGBT模塊是由不同的材料層構成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數以及熱導率存在很大的差異,...
散熱器通常用于吸收和散發來自電子功率器件(如晶體管、可控硅、三端雙向可控硅等)的過多熱量,以便將器件溫度控制在其最大可容忍極限以下。
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術是DBC(直接覆銅)工藝技術的進一步發展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接。
從發展歷程來看,20世紀50年代,功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統;20世紀60至70年代,晶閘管等半導體功率器件快速發展
相比于目前常見的寬禁帶半導體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質因數更大、預期生長成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
高電壓會導致壓縮機、PTC和電機驅動MCU成本增.加,以當前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅動系統為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(功率電子技術)領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器...
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