SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)（擊穿場）和帶隙...

2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1778 0

提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試效率的7個(gè)方法

功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)往往需要具備多種測試功能、覆蓋多種電壓等級的被測器件，此時(shí)就需要對測試電路調(diào)整以滿足測試需求。如果是將多項(xiàng)功能集成一塊測試板上，...

2022-11-15 標(biāo)簽：功率器件 804 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁...

2022-11-12 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅 1514 0

上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案

作為一種電源轉(zhuǎn)換器，車載逆變電源能夠?qū)δ茈姵刂绷麟娹D(zhuǎn)換為220V的交流電，給筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、無人機(jī)等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦...

2022-11-10 標(biāo)簽：功率器件車載逆變電源上海貝嶺 1087 0

溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

2022-10-27 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 6971 0

榮湃產(chǎn)品助力數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源效率的提升

近年來，公有云、私有云的市場快速增長，數(shù)據(jù)中心大量建設(shè)，對服務(wù)器電源的性能提出更高要求，服務(wù)器電源逐漸向高功率密度、高可靠性、高智能化、遠(yuǎn)程控制、實(shí)時(shí)監(jiān)...

2022-10-21 標(biāo)簽：電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1109 0

功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢

IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...

2022-10-20 標(biāo)簽：封裝IGBT功率器件 968 0

雙脈沖測試平臺的架構(gòu)及搭建方案

雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...

2022-10-12 標(biāo)簽：功率器件脈沖測試 2723 0

雙脈沖測試平臺架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見的問題

雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

2022-10-12 標(biāo)簽：功率器件電流探頭脈沖測試 2289 0

特高壓技術(shù)的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)

新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。

2022-10-12 標(biāo)簽：元器件太陽能光伏功率器件 6794 0

如何解決PCB散熱問題

通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材，還有少量使用的紙基覆銅板材。

2022-09-30 標(biāo)簽：pcb功率器件印制板 965 0

淺談IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中的幾個(gè)玩家

低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期，最近兩三年都是處于上升的階段，包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快，海外市場會(huì)多一些，包括這幾年崛起的終端客戶，比如德業(yè)和錦浪。

2022-09-20 標(biāo)簽：IGBT功率器件 823 0

Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)

兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。

2022-09-16 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 1128 0

扁線電機(jī)激光焊接工藝的8大應(yīng)用難點(diǎn)

在實(shí)際上生產(chǎn)中，扁線電機(jī)會(huì)比當(dāng)前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來看看，扁線電機(jī)定子生產(chǎn)過程中，當(dāng)下主流的6大核心工序！

2022-09-15 標(biāo)簽：功率器件扁線電機(jī) 2731 0

汽車功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來可期

在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機(jī)、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達(dá)、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。

2022-09-05 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體 888 0

低頻紋波抑制的幾種常用的方法

紋波主要在五個(gè)方面：輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。

2022-08-31 標(biāo)簽：功率器件紋波開關(guān)變換電路 3748 0

GaN功率器件封裝技術(shù)的研究

近年來，電動(dòng)汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能...

2022-08-22 標(biāo)簽：封裝功率器件氮化鎵 4347 0