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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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pwm變換器驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)有哪些
PWM變換器驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù),它通過調(diào)節(jié)脈沖寬度來控制功率器件的開關(guān)狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)對輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...
2024-08-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路功率器件輸出信號 641 0
上海貝嶺功率器件在電動(dòng)輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析
在中國電動(dòng)兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ摺kS著電動(dòng)自行車國家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn),電動(dòng)自行車向著低速、高安全性和長續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...
碳化硅器件在車載充電機(jī)(OBC)中的性能優(yōu)勢
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%,在OBC產(chǎn)品上...
2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件碳化硅 638 0
碳化硅二極管的優(yōu)勢 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號鏈設(shè)計(jì)
一般的共享電源和數(shù)據(jù)接口經(jīng)過編碼,可減少信號直流成分,從而在發(fā)送交流信號成分時(shí)簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。但是,許多數(shù)字輸出傳感器接口(例如,SPI和I2C)尚未經(jīng)過...
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測試?
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管功率器件 624 0
DC-DC 轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著不可或缺的角色。這是因?yàn)榕c線性穩(wěn)壓器相比,它們具有多項(xiàng)優(yōu)勢。尤其是線性穩(wěn)壓器會(huì)散發(fā)大量熱量,與 DC-DC 轉(zhuǎn)換...
2024-01-12 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻升壓電路DC-DC 622 1
英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...
簡介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...
提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試效率的7個(gè)方法
對功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測試結(jié)果用于驗(yàn)證、評價(jià)、對比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。
2023-07-10 標(biāo)簽:泰克驅(qū)動(dòng)電路功率器件 617 0
在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。
對應(yīng)于同樣的貼片測試任務(wù),貼片機(jī)的冷態(tài)Cpk值較貼片機(jī)的熱態(tài)Cpk值要好。通常設(shè)備制造商都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠前測試,熱態(tài)Cpk值是通過將貼片機(jī)連續(xù)高速空運(yùn)行...
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...
與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解...
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
2024-03-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 606 0
功率器件開關(guān)速度對傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識
高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放,這種磁場是空間發(fā)散的,不受控集中時(shí),會(huì)對空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾,應(yīng)盡量做小線路中分布電感。
隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用,從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心,再到可再生能源系統(tǒng),其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域,碳化硅...
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