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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET的影響

溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET的影響

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低,它們的效率很高,因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。

2022-06-22 標(biāo)簽:MOSFET電壓功率器件 3954 0

功率MOSFET搭配散熱器的分析講解

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功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說明.

2022-05-19 標(biāo)簽:MOSFET散熱器熱阻 1.0萬 0

高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?

首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...

2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 8453 0

氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

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本文重點(diǎn)討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對(duì)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點(diǎn)加以說明。

2022-04-24 標(biāo)簽:雷達(dá)功率器件收發(fā)系統(tǒng) 5096 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān),開關(guān)速度非常快,1秒可以開關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達(dá)到幾十kHz,甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

2022-04-22 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 3757 0

英飛凌無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)介紹

英飛凌無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)介紹

無磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動(dòng)技術(shù),基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計(jì)和應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn),具有高共模瞬變抗擾度、精密時(shí)序控制、精確的短路保護(hù)、高電壓并可靠的輸出推挽MO...

2022-04-18 標(biāo)簽:英飛凌功率器件隔離驅(qū)動(dòng)芯片 4844 1

柵極電感對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響

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驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開通振蕩。

2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 4211 0

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)能輕松駕馭更高dv/dt

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通過上述的分析對(duì)比,英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時(shí)、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面,相對(duì)光耦都有...

2022-04-11 標(biāo)簽:英飛凌芯片技術(shù)功率器件 1797 0

外延層的摻雜濃度對(duì)SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

2022-04-11 標(biāo)簽:工藝功率器件SiC 7338 0

成功實(shí)現(xiàn)功率器件熱設(shè)計(jì)的四大步驟

鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量(實(shí)現(xiàn)脫碳),需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、S...

2022-03-25 標(biāo)簽:電力電子功率器件熱設(shè)計(jì) 2497 0

開關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些

開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

2022-03-21 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率器件集電極 4260 0

GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘

GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘

如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...

2022-02-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 2369 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2585 0

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8078 0

GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

2021-04-01 標(biāo)簽:二極管功率器件GaN 2336 0

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。

2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 3492 0

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標(biāo)簽:變壓器功率器件Rohm 4158 0

基于TOPSwitch-GX系列的離線電源

基于TOPSwitch-GX系列的離線電源

由于TOPSwitch-GX的高度集成,芯片中解決了許多電源設(shè)計(jì)問題。剩下很少的問題需要外部解決,從而為所有應(yīng)用提供了一種通用的電路配置。

2021-05-15 標(biāo)簽:MOS功率器件 1278 0

功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

功率轉(zhuǎn)換器中越來越多地使用碳化硅(SiC)晶體管,這對(duì)尺寸,重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反,SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...

2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 2393 0

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...

2021-05-26 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 3042 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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