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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術

高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大？

首先，讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態的幾個關鍵參數，圖片來源于Cree官網SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態的幾個關鍵參...

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電子假負載電路原理

電子假負載的功率器件，一般選用所需控制功率小的場效應管和IGBT管、選用時一定要有超過滿載時的功率余量，避免使用中燒毀；電子假負載工作時產生大量的熱量，...

2019-10-22 標簽：假負載功率器件 8449 0

如何正確應用合適的功率器件以滿足工業電源要求

本文介紹了適用于工業電源應用的各種電源轉換器拓撲結構，以及設計人員在選擇拓撲結構及其相關組件之前必須考慮的因素。在此過程中，它介紹了 ROHM 半導體的...

2022-07-26 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 8437 0

NV612X GaNFast? 功率半導體器件的熱處理

介紹最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片，用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 8274 1

氮化鎵技術的優勢及工作原理

　　氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體。

2023-02-03 標簽：半導體功率器件氮化鎵 8169 0

SiC如何實現比硅更好的熱管理？SiC在電子領域有哪些應用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導體具有很高的機械，化學和熱穩定性。寬...

2021-03-18 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 8078 0

為什么砷化鎵是半導體材料砷化鎵晶體的結構特點

砷化鎵是一種半導體材料。它具有優異的電子輸運性能和能帶結構，常用于制造半導體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學應用中...

2023-07-03 標簽：光電器件功率器件砷化鎵 8059 0

什么是IEGT呢？這得從上個世紀末說起

屈興國告訴半導體行業觀察記者，東芝IEGT單管目前可以實現4.5KV和3KA的功率，再加上簡易的串聯實施，這些產品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網發展...

2018-07-11 標簽：東芝 IGBT 功率器件 8058 0

什么是半導體？功率半導體器件的分類功率MOS器件結構及工作原理

電子電力器件又稱為功率半導體器件，在世界上已經得到了極為廣泛的運用，主要是作為開關和放大器來使用。它出現在社會生活中的各個方面，如醫療、教育、能源、環境...

2023-11-10 標簽：半導體 MOS 功率器件 8011 0

功率器件介紹、市場概況、產業鏈分析，您想了解的都在這里了

變流器把直流電轉換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產品中，如供電電路中的電壓波動整形、產生變頻輸出功率來控制電機轉動速度，后者在變頻空調、...

2023-11-30 標簽：IGBT 功率器件產業鏈 7974 0

開關電源技術發展歷程的十個關注點

　上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和...

2014-09-28 標簽：開關電源電磁兼容性功率器件 7666 0

如何實現IGBT的軟開關的應用開發

正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機變頻調速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...

2013-01-11 標簽：IGBT 功率器件 7590 2

碳化硅的工作原理、優點及主要用途

　　碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

2023-02-06 標簽：半導體功率器件 SiC 7589 0

關于八吋晶圓的性能分析和應用介紹

特種工藝技術包括高精度模擬CMOS、射頻CMOS、嵌入式存儲器CMOS、CIS、高壓CMOS、 BiCMOS和BCDMOS。這些特種技術對晶圓代工廠的工...

2019-08-30 標簽：晶圓功率器件 7565 0

技術突破：中國電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

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2019-03-01 標簽：晶圓功率器件氧化鎵 7471 0

外延層的摻雜濃度對SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關重要，它直接決定了后續器件的比導通電阻，阻斷電壓等重要的電學參數。

2022-04-11 標簽：工藝功率器件 SiC 7338 0

簡單認識二極管和三極管

二極管：將PN結用外殼封裝起來，并加上電極引線就構成了半導體二極管（P區引出的電極為陽極，N區引出的極為陰極）。

2023-11-06 標簽：三極管二極管 PN結 7274 0

功率器件和分立器件的區別

功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用...

2023-02-07 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 7258 0

如何正確理解功率器件的FoM？

在電源應用中，哪怕已經確定拓撲結構、頻率和負載范圍等需求，工程師短時間內也很難判斷哪一種開關技術最好……“品質因數”（Figure of Merit, ...

2023-11-28 標簽：MOSFET FOM 功率器件 7207 0

三相三電平VIENNA PFC電路的控制方式

三相三電平VIENNA PFC電路需要做到三個方面的控制。

2023-03-23 標簽：PFC 功率器件 PFC電路 7124 0

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