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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:1667 瀏覽:90423 帖子:49

功率器件技術(shù)

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隨著新能源汽車市場的爆發(fā),電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場,行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 394 0

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在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動下,對功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實現(xiàn)更高的效率(...

2024-10-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體microchipIGBT 389 0

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碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙,從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 383 0

碳化硅功率器件市場前景!

在過去幾年中,半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān),并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關(guān)損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...

2022-11-29 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 381 0

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力

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2023-11-23 標(biāo)簽:汽車電池功率器件 380 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

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氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

2024-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 379 0

探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

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在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...

2024-08-19 標(biāo)簽:電感驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 379 0

微米級銅在高溫功率器件的應(yīng)用

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功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用已擴(kuò)展到相當(dāng)多的行業(yè),如汽車,航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設(shè)備需要能夠適應(yīng)更高的使用溫度(>250°C),這大大增加了對設(shè)備材...

2024-03-18 標(biāo)簽:封裝功率器件CU 378 0

中國新能源汽車高壓控制器芯片白皮書

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 我們的研究顯示,早期市場的發(fā)展多由政策推動,隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持,新能源汽車產(chǎn)品的性價比得到了極大的提升。“續(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗”的雙...

2023-10-09 標(biāo)簽:新能源汽車控制器功率器件 377 0

如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

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由于對提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中,高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...

2024-09-03 標(biāo)簽:芯片功率器件功率模塊 376 0

IGBT:能效革命中的不可或缺角色

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根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場的價值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...

2023-09-07 標(biāo)簽:晶閘管IGBT功率器件 374 0

功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外研究總結(jié)

對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié),展望了Ga2O3在未來的應(yīng)用與發(fā)展前景。

2023-03-30 標(biāo)簽:功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 374 0

半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破?

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基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...

2024-03-01 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET逆變器 371 0

薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

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深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動公司發(fā)展,掌握國際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...

2023-08-16 標(biāo)簽:鋰電池電路圖半導(dǎo)體 361 0

功率器件模塊:一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

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由于功率模塊的設(shè)計和幾何形狀可以實現(xiàn) EMI 建模,從而使設(shè)計人員能夠在設(shè)計流程的早期預(yù)測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。

2024-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體emi電磁干擾 355 0

國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢

碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...

2022-12-28 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 353 0

SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一,外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積(CVD),本文簡...

2024-11-14 標(biāo)簽:晶圓功率器件SiC 352 0

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

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功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 標(biāo)簽:MOS功率器件氮化鎵 350 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

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本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵鍍膜 342 0

平面全屬化封裝技術(shù)

平面全屬化封裝技術(shù)

圖2給出了一個集成模塊的剖面圖,應(yīng)用了嵌入功率器件的多層集成封裝技術(shù)。包括:散熱板、基板、絕緣傳熱材料、功率母線、功率器件、銅層、陶瓷、集成無源模塊、金...

2023-08-24 標(biāo)簽:模塊封裝技術(shù)功率器件 341 0

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    米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下,米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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    OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目,是一系列軟件開源項目的組合。由NASA(美國國家航空航天局)和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起,以Apache許可證(Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證)授權(quán)的開源代碼項目。
  • MMU
    MMU
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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    OMAPL138
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    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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