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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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隨著新能源汽車市場的爆發(fā),電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場,行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動下,對功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實現(xiàn)更高的效率(...
在過去幾年中,半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān),并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關(guān)損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)
在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...
2024-08-19 標(biāo)簽:電感驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 379 0
功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用已擴(kuò)展到相當(dāng)多的行業(yè),如汽車,航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設(shè)備需要能夠適應(yīng)更高的使用溫度(>250°C),這大大增加了對設(shè)備材...
我們的研究顯示,早期市場的發(fā)展多由政策推動,隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持,新能源汽車產(chǎn)品的性價比得到了極大的提升。“續(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗”的雙...
如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能
由于對提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中,高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...
根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場的價值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié),展望了Ga2O3在未來的應(yīng)用與發(fā)展前景。
2023-03-30 標(biāo)簽:功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 374 0
半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破?
基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動公司發(fā)展,掌握國際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...
國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢
碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一,外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積(CVD),本文簡...
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子層鍍膜技...
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