碳化硅功率器件的優越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導體行業中的重要發展方向。相比傳統的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應用于電力...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件碳化硅 335 0

功率器件封裝新突破：納米銅燒結連接技術

隨著第三代半導體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的快速發展，功率器件的性能要求日益提高。傳統的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環境下...

2024-12-07 標簽：封裝功率器件半導體材料 334 0

陶瓷墊片的性能特點和安裝工藝

陶瓷墊片 是一種高導熱性能的材料，主要由氧化鋁組成（氧化鋁含量高達96%以上），外觀呈純白色，質地堅硬，主要用于功率器件與散熱器之間的傳熱和電氣隔離。它...

2024-11-01 標簽：三極管散熱功率器件 332 0

功率半導體器件測試解決方案

功率半導體器件是各類電子產品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國功率半導體器件制造企業通過持續的引進消化吸收再創新以及自主創新，產品技術含量及性能水平...

2024-09-12 標簽：功率器件功率半導體碳化硅 331 0

碳化硅功率器件的應用優勢

碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應用中表現優異。

2024-04-09 標簽：功率器件SiC碳化硅 318 0

如何為功率器件找到合適的驅動芯片

每一個功率器件都需要一個驅動芯片，合適的驅動芯片總能帶來事半功倍的效果，為客戶提供全面、高效的產品和解決方案

2023-12-04 標簽：整流器驅動IC功率器件 316 0

碳化硅功率器件的產品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。

2023-10-17 標簽：MOSFET逆變器IGBT 315 0

功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低...

2024-10-29 標簽：熱阻功率器件SiC 315 0

功率器件封裝和適當柵極驅動的重要性

高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成...

2023-07-10 標簽：MOSFET封裝功率器件 314 0

SiC功率器件中的溝槽結構測量

汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率...

2024-10-16 標簽：MOSFET功率器件SiC 306 0

浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

由于其低導通損耗和開關能量損耗，IGBT廣泛應用于高功率應用領域，如電源、馬達驅動逆變器和電動汽車等。對更先進功率器件的需求促使了新型硅基開發及寬禁帶材...

2024-11-06 標簽：IGBTMOS功率器件 305 0

汽車電子系統功率MOSFET的解決方案

汽車電子MOSFET發展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關的性能。功率器件正集成到智能化車載系統中。現在在最低功率級別，MOSFET可以與功率...

2023-10-20 標簽：集成電路MOSFET汽車電子 295 0

SiC功率器件的特點和優勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術，其相較于傳統的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優勢日益顯現。Wol...

2024-12-05 標簽：晶體管功率器件SiC 279 0

基于環流系統的碳化硅功率器件可靠性研究

近日，在西安·曲江國際會議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉換大會暨中國電源學會第二十七屆學術年會及展覽會（CPEEC & CPSSC 20...

2024-11-18 標簽：MOSFET半導體功率器件 258 0

宇宙輻射如何影響半導體功率器件的故障率?

能量粒子以多種方式影響半導體芯片，例如存儲器、處理器以及模擬和電源設備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量，這不僅是空間應用中至關重要的因素，在地面電源...

2024-10-18 標簽：半導體輻射功率器件 252 0