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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數，即短路耐受時間 (SCWT)。

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碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發與行業展望

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2024-04-30 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1226 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標簽：功率器件 SiC GaN 1201 0

Tanner L-Edit在功率器件設計中的應用

像GaN、SiC,、第三代半導體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導體分立器件，常用在電子電力系統中進行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...

2024-04-29 標簽：半導體電力系統功率器件 841 0

碳化硅功率器件：高效能源轉換的未來

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2024-04-29 標簽：電動汽車功率器件 SiC 688 0

功率PCB設計要點詳細整理

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2024-04-29 標簽：pcb 電磁兼容性功率器件 1039 0

Tanner L-Edit在功率器件設計中的應用有哪些呢？

像GaN、SiC,、第三代半導體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導體分立器件，常用在電子電力系統中進行變壓、變頻、變流及功率管理等。

2024-04-28 標簽：CMOS 晶圓大電流 727 0

功率循環對IGBT 壽命的影響——準確估算功率器件的壽命

內容摘要供應商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負載能力，并同時保持高質量a和可靠...

2024-04-26 標簽：功率器件 IGBTS 功率循環測試 1180 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領域內的明星產品，它的出現預示著一次技術革命的悄然到來。

2024-04-26 標簽：逆變器功率器件 SiC 615 0

功率循環對IGBT壽命有何影響？如何準確估算功率器件的壽命呢？

運行過程中產生的高結溫和高溫度梯度會引起機械應力，尤其是在具有不同熱膨脹系數的材料之間的接觸面上，這可能導致這些器件性能退化甚至完全失效。

2024-04-24 標簽：二極管 IGBT 功率器件 1159 0

晶體管級異質集成技術及其實用案例分析

化合物半導體微波器件的典型特點是不同結型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導體微波器件與Si CMOS性能對比，另外化合物半導體還擁有GaA...

2024-04-24 標簽：集成電路二極管晶體管 1089 0

功率器件環境可靠性測試的加速老化物理模型

高溫柵偏（HighTemperatureGateBias，HTGB）、高溫反偏（HighTemperatureReverseBias，HTRB）、高溫高...

2024-04-23 標簽：功率器件可靠性測試半導體服務 1360 0

如何利用 GaN 功率器件實現出色的中等功率電機變頻器

作者：Bill Schweber 對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規要求以及低溫運行的技術優勢，所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標簽：變頻器電機驅動功率器件 504 0

SiC器件的工作原理與主要優勢！

在追求能源效率和對高性能電力電子系統的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩定性，正在變革傳統功率電子技術。

2024-04-18 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1095 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

隨著全球對更高效、更可持續能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領域的一個重要進展。

2024-04-15 標簽：導通電阻功率器件 SiC 707 0

深入探討碳化硅功率器件優勢、應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更優越的物理和化學特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導率、更高的工作溫度和更快的開關速度。

2024-04-12 標簽：變壓器電感器功率器件 523 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，相比于傳統的硅材料，具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。

2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1349 0

碳化硅器件在車載充電機（OBC）中的性能優勢

碳化硅作為第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉化能耗損失降低20%，在OBC產品上...

2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件碳化硅 629 0

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如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號鏈設計

一般的共享電源和數據接口經過編碼，可減少信號直流成分，從而在發送交流信號成分時簡化系統設計。但是，許多數字輸出傳感器接口（例如，SPI和I2C）尚未經過...

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