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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:1663個(gè) 瀏覽:90416 帖子:49個(gè)

功率器件技術(shù)

晶閘管的工作過程是什么 晶閘管可控整流電路工作原理

當(dāng)晶閘管的門極接收到足夠的正向觸發(fā)脈沖時(shí),晶閘管會(huì)從堵塞狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí),晶閘管的陽極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)低阻抗通路,允許電流流經(jīng)晶閘管。

2023-07-11 標(biāo)簽:晶閘管整流電路功率器件 3455 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

碳化硅的優(yōu)勢和難處

 碳化硅(SiC)具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度,使其能夠承受更大的電流和電壓,同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 3432 0

從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 3424 0

PLC梯形圖語言的編程原則及邏輯指令

用戶程序的運(yùn)算是根據(jù)PLC的輸入/輸出映象寄存器中的內(nèi)容,邏輯運(yùn)算結(jié)果可以立即被后面的程序使用

2023-02-28 標(biāo)簽:繼電器plc西門子 3397 0

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 3346 0

關(guān)于固態(tài)RF烹飪產(chǎn)品的最佳腔體設(shè)計(jì)方案的介紹

將固態(tài)RF功率器件用于烹飪產(chǎn)品需要考慮許多因素,比如腔體尺寸和形狀、功率饋入方式與位置、功率等級(jí)和散熱方式等。本次會(huì)議重點(diǎn)介紹實(shí)現(xiàn)最佳腔體的設(shè)計(jì)和仿真方法。

2018-06-28 標(biāo)簽:nxprf功率器件 3252 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 3237 0

SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測1

SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測1

開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...

2023-04-24 標(biāo)簽:元器件IGBTMOS 3228 0

?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

2023-12-21 標(biāo)簽:晶體管功率器件氮化鎵 3212 0

GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

近年來,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來,對(duì)射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...

2022-07-11 標(biāo)簽:集成電路功率器件GaN 3196 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...

2024-01-09 標(biāo)簽:控制器功率器件GaN 3194 0

功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用

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功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...

2023-07-27 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率器件 3177 0

怎樣判斷溫度傳感器壞 溫度傳感器降溫和升溫方法

對(duì)于溫度傳感器的快速升溫和降溫,要避免超過傳感器的額定溫度范圍,以免損壞傳感器或影響測量的準(zhǔn)確性。此外,在選擇和應(yīng)用這些方法時(shí),應(yīng)根據(jù)具體傳感器的規(guī)格和...

2023-11-03 標(biāo)簽:傳感器溫度傳感器萬用表 3173 0

PCB銅皮面積的計(jì)算

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首先給出答案,對(duì)于散熱,并非銅皮面積越大越好,銅皮較薄時(shí)更是如此。

2023-09-21 標(biāo)簽:PCBsmt散熱 3171 0

什么是碳化硅?碳化硅的拋光方法主要有哪些?

碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標(biāo)簽:功率器件SiCCMP 3165 0

功率器件igbt工藝流程圖解

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功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIP...

2023-09-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 3099 0

雙脈沖測試(DPT)的方法解析

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雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法,其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性,確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。

2024-03-11 標(biāo)簽:電力變壓器IGBT功率器件 3046 0

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...

2021-05-26 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 3043 0

電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)集成包括哪些

電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)集成包括哪些

? ? ? ? ? 高集成度:從零部件到多合一,向集成化一體化整合 新能源汽車在輕量化、降成本和優(yōu)化空間布局等性能指標(biāo)要求越來越高,電驅(qū)系統(tǒng)集成化產(chǎn)品成...

2023-05-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件電驅(qū)動(dòng) 3029 0

輪轂電機(jī)的原理與結(jié)構(gòu) 輪轂電機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)

輪轂電機(jī)即是在車輪內(nèi)裝電機(jī),它的最大特點(diǎn)就是將動(dòng)力、傳動(dòng)和制動(dòng)裝置都整合到輪轂內(nèi),因此將電動(dòng)車輛的機(jī)械部分大大簡化。

2023-07-24 標(biāo)簽:電機(jī)功率器件輪轂電機(jī) 3029 0

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     Windows Embedded Compact(即 Windows CE)是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ),它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng),是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下,米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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    MMU
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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步進(jìn)電機(jī) SPWM 充電樁 IPM 機(jī)器視覺 無人機(jī) 三菱電機(jī) ST
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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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