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功率損耗

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功率損耗技術

高壓柵極驅(qū)動器的功率損耗分析

高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...

2024-11-11 標簽：二極管 MOSFET IGBT 328 0

科達嘉扁平線超級大電流電感CPEX系列產(chǎn)品概述

隨著電子設備的效率越來越高，體積越來越小，電子產(chǎn)業(yè)高功率密度設計時代來臨。汽車電子、新能源、光伏逆變器、工業(yè)控制等領域的大功率部件對功率轉(zhuǎn)換器件提出小型...

2023-12-14 標簽：光伏逆變器功率損耗電流電感 673 0

有關RF濾波器的基礎知識

在過去十年中，移動無線數(shù)據(jù)快速增長，使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術，以滿足用戶對無線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術的發(fā)展，也增加了對...

2023-11-30 標簽：射頻 RF 功率損耗 1799 0

MOS管的開關損耗計算

MOS 管的開關損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關電源，逆變電路等。

2023-07-23 標簽：MOSFET MOS管功率損耗 4096 0

為什么通孔不會發(fā)熱？

大多數(shù)人都知道，當電流通過走線（導體）時，走線將會變熱。這種溫度升高是由于走線電阻內(nèi)耗散的I2R功率損耗引起的。銅走線的電阻主要取決于其幾何形狀（橫截面...

2023-05-15 標簽：電流元器件通孔 442 0

關于MOSFET功率損耗的三個誤解

數(shù)據(jù)手冊就是電子元件的使用說明書，在電路設計之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊，并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中極限值表格中的總功率損耗P...

2023-05-15 標簽：MOSFET 電子元件參數(shù) 1178 0

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

隨著電動汽車（EV）制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，...

2023-02-27 標簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 8821 0

PFC MOSFET的開關損耗測試方案

MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調(diào)試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗...

2022-10-19 標簽：MOSFET MOS管 PFC 2061 0

量熱法降低了 EV 轉(zhuǎn)換器的功率損耗

通過使用高效電源轉(zhuǎn)換器來減少二氧化碳排放的電動汽車的全球趨勢，隨著使用量熱法對電氣測量進行量化而得到推動。鑒于對電動汽車中的功率損耗進行準確、近乎完美的...

2022-08-05 標簽：轉(zhuǎn)換器熱管理 Ev 1244 0

MOS管驅(qū)動電路功率損耗的計算方法

詳解MOS驅(qū)動電路功率損耗的構(gòu)成以及計算方法

2022-04-13 標簽：MOS管驅(qū)動電路功率損耗 2.7萬 1

移相電容器的有功功率損耗的計算方法

運行中的電容器，其有功損耗包括介質(zhì)損耗、極板和載流部分的電阻損耗，以及由集膚效應產(chǎn)生的附加損耗。

2021-05-01 標簽：電容器功率損耗 3013 0

電氣設備發(fā)熱的原因有哪些

電氣設備的發(fā)熱不僅會影響設備的電氣特性，同時還會危及設備絕緣的安全，生產(chǎn)中的許多電氣事故都是由發(fā)熱引起的，因此，解決此類問題的關鍵就是研究設備產(chǎn)生發(fā)熱的機理。

2020-11-21 標簽：電氣設備功率損耗 9840 0

電子設計中交流功耗實踐分析：電壓和電流變化

對于電子工程師來說，了解單個組件，電氣模塊甚至整個電子系統(tǒng)的功耗至關重要。重要的是，不僅要避免超出組件的最大限制，而且要在輸入或輸出端計算未知參數(shù)，因為...

2021-01-14 標簽：轉(zhuǎn)換器開關穩(wěn)壓器 LDO穩(wěn)壓器 4772 0

S.A.謝昆諾夫及其對波導理論的貢獻有多大？

色簡諧波條件下的麥克斯韋方程出發(fā)，在橫磁（TM）波和Hz=0的假定下，可以寫出標量Ex，Ey，Ez，和Hx，Hy，Hz之間的關系式；

2019-09-29 標簽：諧波功率損耗 5768 0

MOS管功率損耗怎么測？

除了RDS（ON）之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設計人員非常重要。許多情況下，設計人員應該密切關注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)（SO...

2019-06-18 標簽：電流 MOS管功率損耗 7440 0

在介紹開關穩(wěn)壓器時講解功率損耗

在比較開關穩(wěn)壓器時，效率是一個會使人產(chǎn)生誤解的數(shù)值。效率值可利用輸入和輸出電壓來操縱，而功率損失則與實際電路關系更加緊密。本視頻解釋了其中的原因。

2018-06-28 標簽：開關穩(wěn)壓器 linea 功率損耗 3612 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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數(shù)字隔離技術常用于工業(yè)網(wǎng)絡環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設備中，尤其是一些應用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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