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標(biāo)簽 > 功率芯片
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隨著車輛的網(wǎng)聯(lián)化和智能化的逐步提升,汽車上芯片的數(shù)量越來(lái)越多。據(jù)網(wǎng)上統(tǒng)計(jì),2021年每輛汽車的芯片需求已經(jīng)突破1000顆,一些高端新能源汽車的芯片需求甚...
GaAs晶圓作為常用的一類晶圓,在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過(guò)程中需要關(guān)注的點(diǎn)。
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
驅(qū)動(dòng)功率芯片是電動(dòng)汽車的核心部件之一,它直接影響著整車的性能。 一、引言 隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題的日益嚴(yán)重,電動(dòng)汽車作為一種清潔、環(huán)保的交通工具...
2024-07-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車機(jī)械電子器件 628 0
功率芯片是一種集成電路芯片,其核心功能在于控制和管理電能,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。以下將從功率芯片的原理和應(yīng)用兩個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
深度解析車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
計(jì)算及控制芯片以微控制器和邏輯Ic為主,主要用于計(jì)算分析及決策;功率芯片主要對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制;傳感器芯片主要負(fù)責(zé)感應(yīng)汽車運(yùn)行工況,將非電學(xué)...
近年來(lái),我國(guó)已成為全球發(fā)電量第一的大國(guó)。電能一直是人類消耗的最大能源,是目前最為重要的一種能源形式之一。為滿足發(fā)電,輸電和用電的各種不同要求需求,幾乎所...
如之前的介紹用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術(shù)及晶圓級(jí)封裝中的窄間距RDL技術(shù)及應(yīng)用]技術(shù)通常用于芯片封裝中的信號(hào)和電源引腳映射,用于實(shí)現(xiàn)芯片與封...
IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān),一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個(gè)周期快速關(guān)斷600安培的電流,電流...
車規(guī)級(jí)SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展
隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求,SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)前所未有的增速。
2023-11-07 標(biāo)簽:新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體 411 0
PFC開關(guān)管來(lái)自納微,型號(hào)NV6136C,這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片,內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及高精度無(wú)損耗電流采樣電路,消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...
功率芯片通過(guò)封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接,其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持,在大功率場(chǎng)合下通常功率芯片會(huì)被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連(interconn...
淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別
功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于,其在設(shè)計(jì)的時(shí)候,需要多一塊區(qū)域,來(lái)承擔(dān)外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額...
2023-10-18 標(biāo)簽:微控制器芯片設(shè)計(jì)模擬芯片 2741 0
新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)
柵極電壓。上升過(guò)程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí),P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高; 漏極電壓下...
氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)...
微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微觀組織結(jié)構(gòu)研究
摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對(duì)GaAs功率芯片與MoCu基板進(jìn)行焊接,分析了焊接溫度、摩擦次數(shù)等工藝參數(shù)對(duì)共晶焊接的影響,給出了GaAs芯片共...
電源是電子產(chǎn)品的心臟,給系統(tǒng)提供源源不斷的能量,但是在使用的時(shí)候,總會(huì)有噪音的干擾,影響電源的使用。今天我們主要了解電源噪聲的三個(gè)主要原因
2023-04-13 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換電源噪聲功率芯片 1644 0
功率芯片的制程與普通的半導(dǎo)體芯片有些不同,因?yàn)楣β市酒枰惺芨蟮碾娏骱碗妷海虼嗽谥瞥躺闲枰幼⒅毓β市酒哪蛪盒浴⒛蜔嵝浴?dǎo)電性等特性。
2023-02-27 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體芯片功率芯片 1879 0
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