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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電...
功率MOSFET管在過電流和過電壓條件下?lián)p壞形態(tài)的原因
硅片中間區(qū)域是散熱條件最差的位置,也是最容易產(chǎn)生熱點(diǎn)的地方,可以看到,上圖中,擊穿小孔洞即熱點(diǎn),正好都位于硅片的中間區(qū)域。
如何在實(shí)際應(yīng)用中選擇正確類型的功率MOSFET
MOSFET是電壓控制型器件,三極管是電流控制型器件,這里說的優(yōu)缺點(diǎn)當(dāng)然是要跟功率三極管(GTR)來(lái)做比較的:優(yōu)點(diǎn)—開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)方便等;...
深入理解MOSFET規(guī)格書及應(yīng)用設(shè)計(jì)
MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時(shí)候,為20度時(shí)候的2倍。
2017-10-16 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路功率mosfet 1.2萬(wàn) 0
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