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標簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
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Vishay發布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFE...
MAX5981支持IEEE 802.3at標準的功率MOSFET
MAX5981為用電設備(PD)提供完整的接口電路,符合以太網供電(PoE)系統IEEE? 802.3af/at標準。MAX5981還提供電源就緒(PG...
2011-08-03 標簽:功率MOSFETMAX5981IEEE 802.3at 1239 0
瑞薩電子公司宣布開發面向消費類產品(如無線電動工具和電動自行車)中電機驅動的100A大電流功率MOSFET,
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用...
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST) 推出首款完全符合衛星和運載火箭電子子系統質量要求的功率系列產品。全新抗輻射功率MOSFET...
Vishay發布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產品RJK60S5DPK
瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)產品。新產品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 標簽:功率MOSFET瑞薩電子RJK60S5DPK 1150 0
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
新日本無線現已開發完成了內置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅動器NJW4800,并已經開始投入生產了。該產品
2010-12-24 標簽:功率MOSFET 1340 0
新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 標簽:功率MOSFET 1754 0
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協議 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌...
2010-04-26 標簽:功率MOSFET 664 0
基于功率MOSFET設計考量 用作功率開關的MOSFET 隨著數十年來器件設計的不斷優化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。...
2010-04-24 標簽:功率MOSFET 1344 0
功率MOSFET并聯均流問題研究 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究,詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌...
2009-06-30 標簽:功率MOSFET 3681 0
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