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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導體器件與其驅動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩定性強等...
集成寬帶隙(WBG)半導體器件作為硅技術在多種技術應用中的替代品,是一個不斷增長的市場,可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節約方面有很大的反響。...
NPN晶體管是一種常用的半導體器件,廣泛應用于電子電路中。 NPN晶體管的基本原理 NPN晶體管是一種雙極型晶體管,由N型半導體和P型半導體交替排列而成...
3D晶圓級封裝,包括CIS發射器、MEMS封裝、標準器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術,它起...
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常見的半導體器件,廣泛應用于電子電路中。場效應管的工作原理是通過改變柵極電壓...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導體器件,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性...
隨著半導體器件向著微型化、髙度集成化及高功率密度方向發展,其發熱量急劇增大,熱失效已經成為阻礙微電子封裝器件性能和壽命的首要問題。
光耦器件是一種利用光信號傳輸來實現電信號隔離的半導體器件,廣泛應用于通信、電源、醫療、工業控制等領域。然而,光耦器件在使用過程中也可能出現失效問題,影響...
雙向觸發二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡稱BTD)是一種具有雙向導通特性的半導體器件,廣泛應用于電子電路中。 一、雙向...
雙向TVS管,即雙向瞬態電壓抑制二極管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor),是一種用于保護電子設備免...
【技術大咖測試筆記系列】之十:在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
準確的電源和測量測試對表征這些高壓器件非常關鍵,以便能夠及時制訂正確的設計決策。提高設計裕量和過度設計只會推動成本上升,導致性能下降。
穩壓二極管(Zener Diode)和普通二極管(Standard Diode)是兩種不同類型的半導體器件,它們在電路中發揮著不同的作用。以下是關于穩壓...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。在IGB...
三態輸出門(Tri-State Output Gate)是一種特殊類型的邏輯門,它具有三個狀態:高電平、低電平和高阻抗狀態(也稱為高阻抗或浮空狀態)。這...
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFE...
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