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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢
設計出色功效的電子應用時,需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術具有...
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...
晶閘管(thyristor)也是一種高功率半導體器件。它具有電流控制功能,能夠進行整流、開關和逆變等功能。晶閘管通常只能在正半周或負半周中進行控制,因此...
可控硅的主要參數包括最大正向電壓、最大反向電壓、觸發電壓、保持電流、最大導通電流等。其中,最大正向電壓和最大反向電壓分別表示可控硅可以承受的最大正向和反...
雙向晶閘管與單向晶閘管的最重要的區別在于其具有雙向電流特性。這意味著在交流電路中,雙向晶閘管能夠控制電流的方向,從而實現交流電路的控制。雙向晶閘管的性能...
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能,氮化鎵...
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