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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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首先,讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...
2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 8511 0
然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們都會(huì)遇到一個(gè)相同的困惑:器件的選型著實(shí)令人頭疼。對(duì)此,小編感同身受。今天,我們就一起來(lái)看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.3萬(wàn) 0
【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之十:在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測(cè)量
準(zhǔn)確的電源和測(cè)量測(cè)試對(duì)表征這些高壓器件非常關(guān)鍵,以便能夠及時(shí)制訂正確的設(shè)計(jì)決策。提高設(shè)計(jì)裕量和過(guò)度設(shè)計(jì)只會(huì)推動(dòng)成本上升,導(dǎo)致性能下降。
2021-12-17 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件SMU儀器 1989 0
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計(jì)過(guò)程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開(kāi)始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 2674 0
GaN-HEMT器件的動(dòng)態(tài)R DSon值測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開(kāi)關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類(lèi)的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來(lái)越流行[2],[3],但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電...
2021-03-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器測(cè)量電路GaN 1.1萬(wàn) 0
高級(jí)封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過(guò)去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導(dǎo)體器件的高級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標(biāo)簽:信號(hào)完整性系統(tǒng)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件 4826 0
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 3923 0
淺談太陽(yáng)能應(yīng)用中的光纖設(shè)計(jì)
太陽(yáng)能系統(tǒng)中使用逆變器來(lái)提供交流電,而變壓器則將電壓提高到中/高電壓,以連接到輸電線路。還安裝了斷路器,以在傳輸線出現(xiàn)故障時(shí)保護(hù)系統(tǒng)。
SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案
本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路,以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出,出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 5824 0
數(shù)據(jù)線濾波或?qū)е码娮釉O(shè)備噪聲源的因素分析
本應(yīng)用筆記介紹了數(shù)據(jù)線濾波或?qū)е码娮釉O(shè)備噪聲源的因素,特別是在低信號(hào)電平數(shù)據(jù)中。本文檔還簡(jiǎn)要介紹了噪聲源、噪聲信號(hào)、磁過(guò)濾以及過(guò)濾技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)法則。 噪聲...
2021-06-01 標(biāo)簽:emi濾波電源轉(zhuǎn)換器 7954 0
汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)變革創(chuàng)新技術(shù)方案
安森美半導(dǎo)體進(jìn)入汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域已有20多年的歷史了確切地說(shuō)是半個(gè)多世紀(jì)!在這段時(shí)間里,汽車(chē)發(fā)生了不可估量的變化,而且,在大多數(shù)領(lǐng)域,變化的步伐正在加快,...
2020-11-30 標(biāo)簽:圖像傳感器adas半導(dǎo)體器件 1065 0
固態(tài)電路基礎(chǔ)大分析:二極管/晶體管/整流器/壓敏電阻
電容器上電動(dòng)機(jī)和壓縮機(jī)中使用具有比在固態(tài)電路中使用的電容器不同的功能。單相電動(dòng)機(jī)或壓縮機(jī)上使用的電容器有助于啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)(啟動(dòng)蓋)或減少運(yùn)行安培(運(yùn)行蓋)。
2021-01-21 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)晶體管橋式整流器 3857 0
基于藍(lán)牙的HMI應(yīng)用可靠設(shè)計(jì)解決方案
工業(yè)設(shè)備HMI將給設(shè)計(jì)人員帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。因?yàn)楫a(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)格可能需要遵循標(biāo)準(zhǔn)的指導(dǎo),設(shè)備可能會(huì)受到物理尺寸的限制,并且可能需要為較大的設(shè)備配備控制裝置。工...
2pcs不良品電感值都小于規(guī)格要求的33uH±20%的范圍,DCR明顯小于規(guī)格值0.35(Ω) max.基本判斷不良品為Short Fail。
2020-12-05 標(biāo)簽:電子元器件半導(dǎo)體器件 3011 0
半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.2萬(wàn) 0
國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)32位MCU的崛起之勢(shì)
車(chē)用MCU銷(xiāo)售額于2020年將逼近65億美元。面對(duì)如此龐大的汽車(chē)需求市場(chǎng),在中美貿(mào)易摩擦態(tài)勢(shì)尚不明朗的當(dāng)下,對(duì)國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)MCU而言,如何在推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程...
2020-06-19 標(biāo)簽:mcu汽車(chē)電子半導(dǎo)體器件 1.2萬(wàn) 1
使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200V SiC電源模塊
電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專(zhuān)用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)...
2020-02-04 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器電源模塊半導(dǎo)體器件 4114 0
MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖MCT的功率、快開(kāi)關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...
2019-10-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2604 0
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