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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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電力二極管屬于半導體器件,通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中,用于控制和轉換電能。電力二極管具有低導通電阻、高擊穿電壓和...
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件,具有高輸入阻抗、低驅動功率和良好的線性特性等優點。根據導電溝道的...
隨著國家對子午胎發展的重視,從產業政策和投資上引導輪胎工業產品結構調整,并根據市場需求,支持了一批重點輪胎企業進行子午胎技術改造。在技術引進方面,采取引...
從 20 世紀 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向導通壓降、更小的開關損 耗方向發展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
可控硅,也稱為硅控整流器(SCR),是一種四層三端半導體器件,廣泛應用于電力電子領域中的整流、調壓、無觸點電子開關等。
電容器上電動機和壓縮機中使用具有比在固態電路中使用的電容器不同的功能。單相電動機或壓縮機上使用的電容器有助于啟動電動機旋轉(啟動蓋)或減少運行安培(運行蓋)。
光電二極管是一種能夠將光能轉換為電能的半導體器件。它的工作原理基于光照射在半導體材料上時,光子與材料中的電子相互作用,激發電子從價帶躍遷到導帶,從而產生...
單向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種半導體器件,具有單向導電性和可控性。它可以看作是二極管和晶體管的...
T3Ster結構函數應用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)
半導體器件的結到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴散能力的參數,是半導體器件最重要的熱性能參數之一,它必須被標注到器件尤...
發光二極管(Light Emitting Diode,簡稱LED)是一種半導體器件,由半導體材料制成。它基于PN結的電子結構,在正向偏置電壓下,通過正向...
有生就有死,電子元件也有壽命。電子元件的壽命除了與它本身的結構、性質有關,也和它的使用環境和在電路中所起作用密切相關。
場效應管(Field Effect Transistor,FET)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件,其主要場效應管(Field Effect Tr...
晶閘管是一種四層三端半導體器件,由多層PN結組成。一個標準的晶閘管包含三個PN結,這些PN結交替排列,形成四個半導體區域:陽極區、陰極區以及兩個中間的區域。
晶體管具有放大能力的外部條件是發射結正向偏置,集電結反向偏置。在這種偏置條件下,發射區的多數載流子擴散到基區后,只有極少部分在基區被復合,絕大多數會被集...
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