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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實現(xiàn)...
2018-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光刻機(jī)半導(dǎo)體芯片 16.6萬 0
不同的電路圖可以使用不同的符號和標(biāo)記方式來表示LED的正負(fù)極性。因此,在閱讀特定電路圖時,最好查閱相關(guān)的說明文檔或標(biāo)注,以確保正確地理解LED的正反極性...
如果我們將一個變化的小信號加到基極跟發(fā)射極之間,這就會引起基極電流Ib的變化,Ib的變化被放大后,導(dǎo)致了Ic很大的變化。如果集電極電流Ic是流過一個電阻...
2018-05-07 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件 2.7萬 0
以±8kV的人體模型為例:靜電放電時間在ns級別,具體參考圖1。而下圖2中電阻的脈沖功率給出的時間參數(shù)最小是1us(10-6),差別不是特別大,在此可近...
2018-09-10 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體器件 2.7萬 0
在使用繼電器時,由于實際電路的電壓或使用環(huán)境有可能會產(chǎn)生波動,導(dǎo)致施加到繼電器線圈兩端的電壓也可能會產(chǎn)生波動, 為了不影響繼電器的正常使用,則規(guī)定了繼電...
2019-04-18 標(biāo)簽:繼電器發(fā)光二極管半導(dǎo)體器件 2.4萬 0
崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象,它們在物理機(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩...
2023-12-30 標(biāo)簽:電壓雪崩擊穿半導(dǎo)體器件 2.1萬 0
晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件是什么?如何去實現(xiàn)呢?
晶閘管導(dǎo)通條件:門極G加觸發(fā)信號,主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
VCSEL的基本結(jié)構(gòu) VCSEL技術(shù)的優(yōu)勢
VCSEL是一種半導(dǎo)體器件,其激光垂直于頂面射出,與一般切開式獨(dú)立芯片工藝,激光由邊緣射出的邊射型激光不同。
2022-06-09 標(biāo)簽:VCSEL激光雷達(dá)半導(dǎo)體器件 2.0萬 0
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路半導(dǎo)體器件 2.0萬 0
太陽電池組件的輸出是隨太陽輻射強(qiáng)度和太陽電池組件自身溫度(芯片溫度)而變化的。另外由于太陽電池組件具有電壓隨電流增大而下降的特性,因此存在能獲取最大功率...
2019-08-26 標(biāo)簽:逆變器交流電半導(dǎo)體器件 1.9萬 0
PMOS晶體管工作原理 pmos晶體管的各個工作區(qū)域
PMOS晶體管,也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體,是一種晶體管形式,其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個...
2023-02-11 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件PMOS管 1.7萬 0
三腳二極管,也稱為雙向可控硅(thyristor),是一種常見的半導(dǎo)體器件,它具有三個引腳,分別為陽極(A)、陰極(K)和控制極(G),通常用于交流電路...
本文首先介紹了功率半導(dǎo)體器件分類,其次介紹了大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展及國內(nèi)外功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展,最后介紹了功率半導(dǎo)體器件的研究意義。
2018-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件功率半導(dǎo)體器件 1.6萬 0
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。晶...
本文首先介紹了美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法,其次介紹了如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號和標(biāo)志,具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
變?nèi)荻O管有沒有正負(fù)極_如何判斷變?nèi)荻O管正負(fù)極
變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”,是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)荻O管的電容量...
2018-01-25 標(biāo)簽:二極管變?nèi)荻O管半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
然而,在實際應(yīng)用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
2017-10-09 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重?fù)诫s的P+和N+層,與門極相連的重?fù)诫sP+層,此三層的厚度(在圖中體現(xiàn)為寬度)都較小,剩...
2018-05-23 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
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