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半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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貼片3904三極管_MMBT3904 絲印1AM三極管主要參數資料
3904三極管作為一種常見的低電壓、低電流信號晶體三極管,是半導體基本元器件之一。MMBT3904 SOT-23封裝型號的應用范圍很廣,人們家庭中的小家...
極小的物體被放大幾千倍,各種物質的豐富細節(jié)徐徐展開,人類觀察自然界的視野得到極大拓寬——這是光學顯微鏡賦予人類的“超能力”。不過,無限提高放大倍數是不可...
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰才是最有發(fā)...
該圖的縱軸是每個集成功能(半導體芯片)的組件(晶體管)數量。此外,由于它被寫成Log2,這表明晶體管的數量將呈指數增長。
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優(yōu)勢。然而,散熱問題是制約其...
隨著半導體制造技術的進一步發(fā)展,未來數年中裝備市場的宏觀增長速度會大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場。
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
中芯熱成是國內首家專注于紅外量子點材料成像芯片領域的國家級高新技術企業(yè),針對量子點、納米線、二維材料及鈣鈦礦等新型光電材料提供陣列型成像芯片制備、測試及...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transi...
在這種情況下,第三代化合物半導體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比,寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度...
CEO進一步指出,產品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應用垂直 GaN 技術領導者的地位。它需要我們的重要知識產權來制造適用于客戶用例的產品。
SAOT系統(tǒng)主要由特制攝像機、球內傳感器和人工智能系統(tǒng)三部分組成。世界杯期間,每座球場頂部將設置12臺特制攝像機,對場上的足球和每名球員進行追蹤,以每秒...
場效應晶體管是由p型和n型兩部分組成。當給pn結加上正向電壓時,由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結電場中形成空間電荷層,這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子...
盤點Power Tester功率循環(huán)測試設備的九大優(yōu)勢
Power Tester帶兩套軟件,一套是PowerTester Post processing tool后處理軟件,一套是T3Ster Master軟...
由于最新PCIe標準必須支持以前各代PCIe標準,所以對驗證團隊來說,每一代新的PCIe標準的測試矩陣都會呈指數級增長。再加上標準發(fā)展導致的測試復雜度增...
依托IDM模式,士蘭微電子實現(xiàn)了特色工藝技術與產品研發(fā)的緊密互動,以及半導體器件、集成電路和模塊產品的協(xié)同發(fā)展。公司的技術與產品涵蓋了消費類產品的眾多領...
隨著新能源行業(yè)的發(fā)展,IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統(tǒng)中的關鍵半導體器件組成部分,市場對其應用條件和性能提出更高的要求,對...
針對任何應用領域的工程師都加入了他們對效率、功率密度和成本的擔憂。而且,即使他們還沒有用它進行設計,他們也意識到解決方案可能在于碳化硅(SiC)技術。...
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