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半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而升高，這與金屬導體恰好相反。
半導體材料可按化學組成來分，再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。
光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增...
【DT半導體】獲悉，金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結構的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點群為 oh7-Fd3m。每個碳原子以 s...
引言 碳化硅（SiC）作為新一代半導體材料，因其出色的物理和化學特性，在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環境等領域展現出巨大的應用潛力。然而，在SiC外延...
一、集成電路的引腳識別 集成電路是在同一塊半導體材料上，利用各種不同的加工方法同時制作出許多極其微小的電阻、電容及晶體管等電路元器件，并將它們相互連接起...
引言 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學性質，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域具有廣泛的應用前景。然而，在SiC晶片的...
碳化硅（SiC）作為新一代半導體材料，因其出色的物理和化學性質，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現出巨大的應用潛力。然而，SiC外延晶片在生產過...
隨著人們對美的追求不斷提升，醫美行業迅速發展，各種先進技術和設備不斷涌現。半導體制冷技術因其獨特的性能優勢，在醫美行業中逐漸嶄露頭角，為醫美治療的精準性...
隨著第三代半導體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的快速發展，功率器件的性能要求日益提高。傳統的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環境下...
新進展 化合積電攜手廈大團隊攻關單晶金剛石薄膜異質外延生長技術突破性進展綜述
來源：化合積電 近日，廈門大學張洪良教授課題組和化合積電在Electron發表了題為 “Recent progress on heteroepitaxi...
2024-12-02 標簽：半導體材料 697 0
1. 三極管的基本結構 三極管主要由三個部分組成：發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。在NPN型三極管中，發射極和...
【DT半導體】獲悉，化合積電為了大力推動金剛石器件的應用和開發進程，推出硼摻雜單晶金剛石，響應廣大客戶在金剛石器件前沿研究的需求。 金剛石，作為超寬帶隙...
【研究梗概】： 超寬禁帶半導體氮化鋁具有超高擊穿電場，在新型電子器件開發中展現出巨大潛力，受到全球研究者的競相關注。近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學先進半...
近日，中國在太空成功驗證了首款國產碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統升級換代，為中國航天事業以及相關...
在電子電路設計中，信號整形是一個重要的環節，它涉及到對信號波形的修改，以滿足特定的應用需求。二極管作為一種基本的電子元件，因其獨特的單向導電特性，在信號...
在電子電路中，二極管和整流器是兩種非常重要的元件。它們都涉及到電流的單向流動特性，但在結構、工作原理和應用場景上有所不同。 二極管的基本概念 二極管是一...
在現代電子技術中，二極管是一種不可或缺的元件。它的核心功能是允許電流單向流動，這一特性使其在多種電路設計中扮演著重要角色。 二極管的工作原理 二極管由一...
電阻器是電子電路中不可或缺的組件，它們的主要功能是限制電流的流動和/或降低電壓。電阻器的性能和穩定性在很大程度上取決于其制造材料和工藝。 電阻器材料 金...
碳化硅作為一種新型半導體材料，因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性，被廣泛應用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、...
隨著科技的不斷進步，光電器件在通信、能源、醫療和國防等領域扮演著越來越重要的角色。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙半導體材料，因其出色的電學、熱學和光學性...
近日，荷蘭特文特大學科學家開發出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結構高度有序的半導體材料。他們表示，通過精準控制這種半導體材料的晶體結構，大幅降低了內部...
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