氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 2996 0

砷化鎵的應(yīng)用及技術(shù)工藝

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率...

2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 2456 0

碳化硅原理及應(yīng)用

碳化硅是一種半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的，具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。

2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 1829 0

氮化鎵技術(shù)概念股

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...

2023-02-13 標(biāo)簽：激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 2721 0

SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢

碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1057 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 2691 0

什么是硅基氮化鎵？

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 3994 1

碳化硅在“新基建”領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn)，可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...

2023-02-03 標(biāo)簽：逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 542 0

碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...

2023-02-03 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 510 0

氮化鎵你了解多少？

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，氮化鎵基功率器件...

2023-02-02 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4192 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料SiC 2.8萬 0

解讀用于毫米波的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體技術(shù)

運(yùn)行在很高頻率下的電子器件所表現(xiàn)的性能主要與：1)組成半導(dǎo)體的材料特性和2)器件的結(jié)構(gòu)有關(guān)[3]。Si，GaAs 和InP 是目前具有截止頻率在300G...

2023-01-10 標(biāo)簽：CMOS振蕩器晶體管 1085 0

半導(dǎo)體硅片制造流程 國產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈一般分為設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用三個(gè)環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體材料在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中位于制造環(huán)節(jié)上游，和半導(dǎo)體設(shè)備一起構(gòu)成了制造環(huán)節(jié)的核心上游供應(yīng)鏈，是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)...

2022-11-30 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料晶圓制造 3504 0

常見半導(dǎo)體材料有哪些？常見的半導(dǎo)體材料特點(diǎn)

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來說這些還會(huì)被分成小類。

2022-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2.4萬 0

氮化鋁的研究歷史

氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵化合物，晶格參數(shù)為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族...

2022-03-23 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料陶瓷材料 2712 0

固態(tài)電路基礎(chǔ)大分析：二極管/晶體管/整流器/壓敏電阻

電容器上電動(dòng)機(jī)和壓縮機(jī)中使用具有比在固態(tài)電路中使用的電容器不同的功能。單相電動(dòng)機(jī)或壓縮機(jī)上使用的電容器有助于啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)（啟動(dòng)蓋）或減少運(yùn)行安培（運(yùn)行蓋）。

2021-01-21 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)晶體管橋式整流器 3886 0

固態(tài)照明的新型半導(dǎo)體材料

固態(tài)照明（SSL）技術(shù)由于其在節(jié)能和減少環(huán)境污染方面的優(yōu)勢，正逐漸取代傳統(tǒng)的照明光源。因此，開發(fā)可應(yīng)用在SSL設(shè)備的高性能發(fā)光材料成為近十年來的一個(gè)非常...

2020-01-28 標(biāo)簽：固態(tài)照明半導(dǎo)體材料有機(jī)發(fā)光二極管 2974 0