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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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雙極性晶體管,英語(yǔ)名稱(chēng)為BipolarTransistor,是雙極性結(jié)型晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),由于其具有三個(gè)終端,因此通常將其稱(chēng)為三極管。三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成...
碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)的應(yīng)用機(jī)遇
電動(dòng)化成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢(shì),對(duì)高速充電的需求持續(xù)提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 455 0
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心,它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類(lèi)繁多,不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料 1465 0
近年來(lái),使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...
2023-11-29 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料SiC 911 0
量子點(diǎn)的發(fā)光原理主要與電子和空穴的相互作用以及它們與周?chē)h(huán)境的相互作用有關(guān)。當(dāng)量子點(diǎn)受到外來(lái)能量(例如光子)的激發(fā)時(shí),電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,然后在導(dǎo)帶上...
2023-11-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光譜量子點(diǎn) 2594 0
溫度傳感器是一種用于測(cè)量溫度的裝置,其原理是將溫度轉(zhuǎn)換為可被測(cè)量和記錄的電信號(hào)。溫度傳感器有很多種類(lèi)型,包括熱電偶、熱敏電阻、晶體管溫度傳感器等。下面我...
2023-11-24 標(biāo)簽:溫度傳感器熱敏電阻半導(dǎo)體材料 4179 0
以同樣的方式理解p型材料(如下圖所示)。不同之處在于,只有元素周期表第三列的硼被用來(lái)使p型的硅摻雜。當(dāng)硼與硅混合時(shí),硼也從硅中吸取電子。然而,這里也只能...
2023-11-17 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2800 0
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類(lèi)的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高...
2023-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光刻膠 1592 0
電子半導(dǎo)體行業(yè)電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與治理系統(tǒng)解決方案
目前大多數(shù)單晶爐是采用中頻感應(yīng)電源加熱的工作方式,中頻電源主電路包括整流電路、濾波電路、單相橋式逆變電路和并聯(lián)諧振電路。其中整流電路采用三相全控橋式整流...
2023-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料配電系統(tǒng) 386 0
本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無(wú)用的,因?yàn)樗鼪](méi)有自由移動(dòng)的電子或者空穴,所以不能導(dǎo)電。然而,通過(guò)一個(gè)叫做摻雜的過(guò)程,將特定的元素被引入本征半導(dǎo)體材...
2023-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電阻率 3322 0
許多材料的一個(gè)重要特性是導(dǎo)電能力(即:支持電流流動(dòng)的能力)。電流就是流動(dòng)的電子。導(dǎo)電發(fā)生在元件和材料中質(zhì)子對(duì)外環(huán)電子的吸引力相對(duì)較弱的情況下,這時(shí)自由電...
2023-11-10 標(biāo)簽:電容器半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 897 0
半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性,正是由于這些特點(diǎn),使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來(lái)的半導(dǎo)體材料的特...
2023-11-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電荷 1134 0
MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖 MCT 的功率、快開(kāi)關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大...
“半導(dǎo)體”是一種特性介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì),前者像金屬一樣導(dǎo)電,后者幾乎不導(dǎo)電。電流流動(dòng)的容易程度與物質(zhì)電阻的大小有關(guān)。如果電阻高,電流很難...
各種半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)的原因
固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的,而是一些不連續(xù)的能帶,要導(dǎo)電就要有自由電子或者空穴存在,自由電子存在的能帶稱(chēng)為導(dǎo)帶(能導(dǎo)電)。被束縛的電子要成為自由...
2023-10-26 標(biāo)簽:三極管二極管半導(dǎo)體材料 1258 0
在上周的推文中,我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段:以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。(了...
2023-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1505 0
作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一,半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學(xué),半導(dǎo)體無(wú)處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
2023-09-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1099 0
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...
2023-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 954 0
在了解雙向晶閘管的工作原理之前,需要先了解一下普通的晶閘管的工作原理。晶閘管是一種半導(dǎo)體器件,它是由四層PNPN型的晶體管結(jié)構(gòu)組成,晶體管結(jié)構(gòu)中有兩個(gè)P...
2023-08-26 標(biāo)簽:晶閘管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 3686 0
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