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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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【科普詳解】目前傳感器的種類(一) 傳感器是信息時(shí)代的必備產(chǎn)品,幾乎隨處可見。它是人類從外界獲取信息的關(guān)鍵。現(xiàn)在人們單靠自身的感覺器官,在研究自然現(xiàn)象和...
2020-03-24 標(biāo)簽:傳感器mems半導(dǎo)體材料 2710 0
在太陽(yáng)能電池中,一種被稱為鈣鈦礦的廉價(jià)且容易制造的材料非常擅長(zhǎng)將光子轉(zhuǎn)化為電能。
2020-01-24 標(biāo)簽:LED太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體材料 3171 0
韓國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快,RAM融資投產(chǎn)氟化氫擴(kuò)大供應(yīng)
據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo),RAM Technology將在半導(dǎo)體原材料解決方案領(lǐng)域投資超過200億韓元,或?qū)镾K海力士增加高純度液態(tài)氟化氫供應(yīng)提供支持。RAM Te...
2019-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 3052 0
日本與韓國(guó)就關(guān)于半導(dǎo)體材料協(xié)商失敗將進(jìn)行第二輪
據(jù)日本共同社報(bào)道,因日本加強(qiáng)對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料的管制,韓國(guó)此前向世界貿(mào)易組織(WTO)提起了訴訟。當(dāng)?shù)貢r(shí)間 11 日,日韓兩國(guó)在 WTO 總部瑞士日內(nèi)瓦...
2019-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 2085 0
工信部答復(fù)政協(xié)十三屆全國(guó)委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)提案
集成電路是高度國(guó)際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè),資源整合、國(guó)際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門積極支持國(guó)內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家加...
2019-10-12 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體材料 3371 0
我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了新一輪的規(guī)劃
為推動(dòng)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,我部、發(fā)展改革委及相關(guān)部門,積極研究出臺(tái)政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一是2014年國(guó)務(wù)院發(fā)布的《推進(jìn)綱...
2019-10-12 標(biāo)簽:集成電路核心技術(shù)半導(dǎo)體材料 3847 0
Soitec公布2020財(cái)年第一季度報(bào)告
作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司公布了2020財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)(截止至2019年6月30日)。
2019-08-23 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體材料SOITEC 648 0
自食惡果!霍尼韋爾對(duì)臺(tái)售武遭點(diǎn)名
2019-07-16 標(biāo)簽:霍尼韋爾半導(dǎo)體材料 3543 0
同樣的食材柿子和雞蛋,你老媽和你老婆能做出兩個(gè)味道。頂級(jí)的大廚在做料理時(shí),講究的最多的就是食材的新鮮。原材料的好壞,是一道佳肴的核心,此原理適用一切制造...
2019-07-08 標(biāo)簽:電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料 4183 0
日本關(guān)鍵半導(dǎo)體材料嚴(yán)格出口對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響分析
日本與韓國(guó)對(duì)于第二次世界大戰(zhàn)強(qiáng)制征用民工的問題無法達(dá)到共識(shí)以及妥善的處理,日本政府將祭出一連串的出口管制措施。
2019-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光刻膠 3258 0
中國(guó)積極布局第三代半導(dǎo)體材料!國(guó)內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商?
Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認(rèn)為,碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用,氮化鎵...
2019-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.6萬 0
2018年全球半導(dǎo)體材料銷售額519.4億美元,創(chuàng)歷史新高
全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)在2018年增長(zhǎng)10.6%,推動(dòng)半導(dǎo)體材料銷售額達(dá)到519.4億美元,超過2011年471億美元的歷史高位。
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。以...
2019-03-29 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料 1.4萬 0
目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等.其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟,用的也較多。
2019-03-29 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料 1.4萬 0
半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分,再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)...
2019-03-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 1.7萬 0
半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)之一是它們的導(dǎo)電性和導(dǎo)電類型(N型或P型)能夠通過在材料中摻入專門的雜質(zhì)而被產(chǎn)生和控制。
2019-03-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 5983 0
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能,用來制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過電子和空穴這兩種載流子來實(shí)現(xiàn)的,因此相應(yīng)的有N型和P型之...
2019-03-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1.5萬 0
A * STAR和Soitec宣布推出聯(lián)合計(jì)劃以開發(fā)全新先進(jìn)封裝層轉(zhuǎn)移工藝
A * STAR和Soitec宣布推出聯(lián)合計(jì)劃,以開發(fā)全新先進(jìn)封裝層轉(zhuǎn)移工藝,具備成本競(jìng)爭(zhēng)力的全新晶圓到晶圓層轉(zhuǎn)移工藝可幫助實(shí)現(xiàn),基于微電子研究院的晶圓...
2019-03-27 標(biāo)簽:晶圓封裝半導(dǎo)體材料 768 0
SiCMOSFET支持高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價(jià)比的高頻設(shè)計(jì),用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體,推出了兩款新的碳化...
2019-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 2057 0
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